[发明专利]用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法

权利要求书

1.一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，其包括：

形成存储器块，所述存储器块个别地包括包含交替的绝缘层级与导电层级的竖直堆叠，沟道材料串延伸穿过所述绝缘层级及所述导电层级；

水平伸长的沟槽，其位于横向紧邻的所述存储器块之间，导体材料在所述沟槽的侧壁中且横向地在所述导电层级及所述绝缘层级之上竖向地沿着所述侧壁延伸，并且将所述个别导电层级的导电材料直接电耦合在一起；以及

将所述导体材料暴露于氧化条件下，以横向地在个别所述绝缘层级之上形成横向穿过所述导体材料的绝缘氧化物，以将所述个别导电层级的所述导电材料分开而使其不通过所述导体材料直接电耦合在一起。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述导体材料和所述导电材料具有相同的成分。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述导体材料包括导电金属材料，并且所述绝缘氧化物是绝缘金属氧化物。

4.根据权利要求1所述的方法，其包括在形成所述绝缘氧化物之后，在所述绝缘氧化物的横向内部在所述沟槽中形成绝缘体材料。

5.根据权利要求1所述的方法，其包括在形成所述绝缘氧化物之后，去除其中的至少一些。

6.根据权利要求5所述的方法，其包括在所述去除之后，在所述沟槽中形成绝缘体材料。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述绝缘体材料形成为填充所述沟槽的剩余体积。

8.根据权利要求5所述的方法，其中所述去除是去除全部所述绝缘氧化物。

9.根据权利要求8所述的方法，其包括在所述去除之后，在所述沟槽中形成绝缘体材料。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述绝缘体材料形成为填充所述沟槽的剩余体积。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘氧化物保留在包括所述存储器阵列的成品电路系统构造中。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述暴露形成所述绝缘氧化物以使其横向延伸到所述存储器块中的所述个别导电层级中。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述暴露并不形成所述绝缘氧化物以使其横向延伸到所述存储器块中的所述个别导电层级中。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述沟槽侧壁由所述存储器块中的所述绝缘层级的绝缘材料的侧壁界定，所述暴露横向地在所述导电层级之上形成所述绝缘氧化物，以具有在任何地方都与所述绝缘材料侧壁横向重合的横向外侧壁。

15.一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，其包括：

形成存储器块，所述存储器块个别地包括包含交替的绝缘层级与导电层级的竖直堆叠，沟道材料串延伸穿过所述绝缘层级及所述导电层级；

水平伸长的沟槽，其位于横向紧邻的所述存储器块之间，在所述存储器块中的个别所述导电层级中的导电材料从所述存储器块横向向外延伸到所述沟槽的侧壁中且横向地在所述导电层级及所述绝缘层级之上竖向地沿着所述侧壁延伸，并且将所述个别导电层级的所述导电材料直接电耦合在一起；以及

将所述导电材料暴露于氧化条件下，以横向地在个别所述绝缘层级之上形成横向穿过所述导电材料的绝缘氧化物，以将所述个别导电层级的所述导电材料分开而使其不直接电耦合在一起，所述暴露形成所述绝缘氧化物以使其横向延伸到所述存储器块中的所述个别导电层级中。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述导电材料包括导电金属材料，并且所述绝缘氧化物是绝缘金属氧化物。