[发明专利]一种基于WCT120的蓝膜片方阻测试方法在审

专利信息
申请号: 202211647772.5 申请日: 2022-12-21
公开(公告)号: CN115877082A 公开(公告)日: 2023-03-31
发明(设计)人: 张双玉;李蕊怡;杨阳;陈如龙 申请(专利权)人: 江苏润阳世纪光伏科技有限公司
主分类号: G01R27/02 分类号: G01R27/02;G01N27/04;H02S50/10
代理公司: 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 代理人: 马晓敏
地址: 224000 江苏省盐*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 wct120 膜片 测试 方法
【说明书】:

发明提供一种基于WCT120的蓝膜片方阻测试方法,首先确定待监控蓝膜片的原硅电阻率和厚度,所述蓝膜片包括扩散层和硅基底层,厚度指的是硅基底层的厚度;在丝网印刷前对蓝膜片进行取样,采用WCT120获取取样蓝膜片的整体电阻Rtotal;然后利用计算模型计算出蓝膜片的扩散方阻Remitter的数值。本发明中采用WCT120先对蓝膜片的整体电阻进行测试,然后根据计算模型反推出蓝膜片的扩散方阻,能够在丝网印刷前,获取镀膜后半成品——蓝膜片,发现蓝膜片方阻异常,可以直接将蓝膜片返工处理,降低造成的损失以及减少返工的成本,避免丝网印刷工序资源和成本浪费。结合自动化,此步骤可集成到产线,进行批量测试,挑选出方阻异常片。

技术领域

本发明涉及太阳能电池生产制造技术领域,具体涉及一种基于WCT120的蓝膜片方阻测试方法。

背景技术

电池片是太阳能电池的核心部件,电池片的性能将直接影响电池的转化率等性能,因此,在电池制程中需要对电池片的性能进行监控。现有技术中,一般采用电致光检测(Electroluminescent,简称EL)作为探知和监控电池片因工艺或材料本身所具有的一些缺陷的重要手段,它能反馈出电池片电学上的问题。当产线出现EL不良时,则需要确认不良是由哪些因素或工序引起的。

传统产线对方阻的监控,全部停留在镀膜前或者丝网后。一般镀膜前多指:扩散后方阻监控。丝网印刷后方阻监控多指:传输线模型法(Transmission Line Method,简称TLM)方阻监控,测试成品电池片的方阻,以排除扩散制程的影响。

TLM测试结构由至少三种不同间距的接触构成。在这种方法中,电流被限制从一个金属接触流向在半导体表面流动,通过半导体片经过一定距离,然后向上流入第二个金属接触。通过这种方法可以获取成品电池片的方阻,但是这种方法有以下几个问题:1)测试耗时长;2)需要切割样品,为破坏性测试,如果样本数量多则会导致测试成本比较高,因此,一般测试样本数量较少;3)测试结果受样品制备、样本数量、探针下压准确性、印刷形貌等因素的影响。

另外,现有的测试方法,一般都是对成品电池片的方阻进行监控,成品电池片是通过丝网印刷在蓝膜片上形成金属电极后的成品。众所周知,丝网印刷工序在电池生产成本中占比较高,当前期的蓝膜片的方阻异常时,如果在制成成品电池片后再监控方阻,则会导致成本的浪费,造成很大的经济损失和资源浪费,因此,如何在丝网印刷前发现电池半成品方阻异常并及早返工,并可极大程度地降低电池生产过程中的返工成本。

因此,亟需提供一种能够减小损失和返工成本的且能够实现对电池片性能进行监控的方阻测试方法。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是:针对现有技术中对成品电池方阻测试艺监控电池片性能的不足,本发明提供一种基于WCT120的蓝膜片方阻测试方法。

本发明解决其技术问题所要采用的技术方案是:一种基于WCT120的蓝膜片方阻测试方法,包括以下步骤:

S1:确定待监控蓝膜片的原硅电阻率Base_Resistivity和厚度Si_thinkness,所述蓝膜片包括扩散层和硅基底层,厚度Si_thinkness指的是硅基底层的厚度。

S2:根据步骤S1中获得的原硅电阻率Base_Resistivity和厚度Si_thinkness计算基底电阻Rbase,则:Rbase=Base_Resistivity÷Si_thinkness;

S3:在丝网印刷前对蓝膜片进行取样,采用WCT120获取取样蓝膜片的整体电阻Rtotal

生产线监控成品片方阻一般都是取样,切割成品电池进行制样,按照TLM方法测试出成品片方阻,本发明中的方法不用损坏样品,可以直接在丝网印刷前取样测试,由于本方法中只与待测试样品的厚度和电阻率有关,因此对取样数量和样品尺寸均没有要求。

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