[发明专利]一种基于WCT120的蓝膜片方阻测试方法在审
| 申请号： | 202211647772.5 | 申请日： | 2022-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN115877082A | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 张双玉;李蕊怡;杨阳;陈如龙 | 申请（专利权）人： | 江苏润阳世纪光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R27/02 | 分类号： | G01R27/02;G01N27/04;H02S50/10 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 马晓敏 |
| 地址： | 224000 江苏省盐*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 wct120 膜片 测试 方法 | ||
1.一种基于WCT120的蓝膜片方阻测试方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1：确定待监控蓝膜片的原硅电阻率Base_Resistivity和厚度Si_thinkness，所述蓝膜片包括扩散层和硅基底层，厚度Si_thinkness指的是硅基底层的厚度；
S2：根据步骤S1中获得的原硅电阻率Base_Resistivity和厚度Si_thinkness计算基底电阻Rbase，则：Rbase＝Base_Resistivity÷Si_thinkness；
S3：在丝网印刷前对蓝膜片进行取样，采用WCT120获取取样蓝膜片的整体电阻Rtotal；
S4：将基底电阻Rbase和整体电阻Rtotal代入扩散方阻的计算模型中，利用计算模型计算出Remitter的数值，其中，计算模型为：
式中，Rtotal表示蓝膜片的整体电阻，Rbase表示基底电阻；Remitter表示发射极电阻，即蓝膜片的扩散方阻。
2.如权利要求1所述的基于WCT120的蓝膜片方阻测试方法，其特征在于：步骤S1中需要在产线批量投产之前确定待监控蓝膜片的原硅电阻率Base_Resistivity和厚度Si_thinkness。
3.如权利要求1所述的基于WCT120的蓝膜片方阻测试方法，其特征在于：步骤S1中原硅电阻率采用WCT120、原硅电阻率测试仪或硅片分选机获取。
4.如权利要求1所述的基于WCT120的蓝膜片方阻测试方法，其特征在于：步骤S3中采用WCT120获取取样蓝膜片的整体电阻Rtotal包括以下步骤：将取样的蓝膜片放置在WCT120的测试台面上，并将步骤S2中获得的基底电阻Rbase的数值输入到WCT120中，点击“测试”，获取获取蓝膜片的整体电阻Rtotal。
5.如权利要求1所述的基于WCT120的蓝膜片方阻测试方法，其特征在于：步骤S3中取样后的蓝膜片采用WCT120直接进行测试，或者将蓝膜片烧结之后再采用WCT120进行测试。
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