[发明专利]制动电阻电路中自动保护MOS管的保护电路、保护方法

权利要求书

1.一种制动电阻电路中自动保护MOS管的保护电路，包括MOSFET管及由其构成的制动电阻电路，其特征在于：在MOSFET管的源极串联采样保护电阻至电路电源地，采样保护电阻两端压降接入至运算放大器输入两端，运算放大器输出端接入至三极管基极，三极管集电极与MOSFET管的栅极电连接，三极管发射极与电路电源地电连接；形成制动电阻短路时利用采样保护电阻两端压降迅速导通三极管集电极与发射极，实现迅速拉低MOSFET管栅极电压，进而实现保护关断MOSFET管不被损坏。

2.按照权利要求1所述的制动电阻电路中自动保护MOS管的保护电路，其特征在于：所述的采样保护电阻采用PCB上的铜箔作为采样保护电阻，采样保护电阻阻值采用为毫欧级别电阻值。

3.按照权利要求1所述的制动电阻电路中自动保护MOS管的保护电路，其特征在于：所述的采样保护电阻为第179电阻，采样保护电阻一端串联第1电阻后接入至运算放大器正输入端，采样保护电阻另一端串联第2电阻后接入至运算放大器负输入端，同时采样保护电阻另一端与电路电源地电连接，运算放大器负输入端串联第3电阻后与运算放大器输出端电连接，运算放大器输出端串联第4电阻后与第43三极管基极电连接，第43三极管集电极与第10MOSFET的栅极电连接，第10MOSFET的源极串联采样保护电阻至电路电源地。

4.按照权利要求1所述的制动电阻电路中自动保护MOS管的保护电路，其特征在于：所述的运算放大器采用型号为GS8052。

5.按照权利要求1所述的制动电阻电路中自动保护MOS管的保护电路，其特征在于：所述的采样保护电阻阻值采用为0.01R，也即0.01Ω。

6.按照权利要求1所述的制动电阻电路中自动保护MOS管的保护电路，其特征在于：所述的采样保护电阻采用PCB上的铜箔宽度尺寸为60～100mil，长度尺寸为3～10mm，厚度尺寸为1～2oz。

7.按照权利要求1所述的制动电阻电路中自动保护MOS管的保护电路，其特征在于：所述的第43三极管采用型号为SS8050的NPN三极管。

8.按照权利要求1所述的制动电阻电路中自动保护MOS管的保护电路，其特征在于：所述的制动电阻与制动电路采用快捷拆卸式电连接结构。

9.一种制动电阻电路中自动保护MOS管的保护方法，其特征在于：保护如下保护方法策略

A1.采用制动电阻电路本身PCB板上的铜箔来做MOSFET管采样保护电阻，形成权利要求1～8之一所述的制动电阻电路中自动保护MOS管的保护电路；

A2.当制动电阻没有短路时，制动电阻电路中的MOSFET管开通后，流经MOSFET管的电流在允许范围之内，此时采样保护电阻两端的压降也小，运算放大器输出的电压不足以打开三极管，MOSFET管就能保持正常开通状态；

A3.当制动电阻损坏而内部短路时，如果将制动电阻电路中的MOSFET管导通，此时因为制动电阻电路中的MOSFET管内阻和PCB铜箔制成的采样保护电阻都很小，只有毫欧级别，因而电流很大，这时PCB铜箔制成的采样保护电阻两端的电压迅速上升，进而三极管的集电极和发射极之间也会迅速导通，从而MOSFET管的栅极电压也迅速拉低，MOSFET管也跟随迅速关断而不会损坏；

A4.更换制动电阻后，制动电阻电路又能恢复成上述A2步骤状态；

上述制动电阻与制动电路采用快捷拆卸式电连接方式。