[发明专利]一种晶圆结构的制作方法及晶圆结构

说明书

本发明公开了一种晶圆结构的制作方法及晶圆结构，属于晶圆制造技术领域，包括硅晶圆体和加工置物盘，硅晶圆体由硅晶圆片和矩形芯片组成，加工置物盘包括承载座，承载座上通过电磁支撑组件连接有承载盘，承载座上四周均通过内移动件连接有移动外罩体，移动外罩体顶部设置有屏蔽罩，屏蔽罩呈扇形设置，且多个扇形设置的多个屏蔽罩在聚拢时呈环形设置。本发明针对硅晶圆在进行制造过程中存在边角料的情况进行设计，通过设置加工置物盘对边角料区域进行覆盖遮蔽，使得在后续对晶圆的芯片电路制造加工过程中，取消原先将对边角料区域的加工，减小芯片电路制造过程中的加工面积，对硅晶圆切割后边角料能回炉重新利用，降低加工成本。

技术领域

本发明涉及晶圆制造技术领域，尤其涉及一种晶圆结构的制作方法及晶圆结构。

背景技术

晶圆是制造半导体芯片的基本材料，半导体集成电路最主要的原料是硅，因此对应的就是硅晶圆,硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之I C产品；

硅芯片是集成电路的核心，硅芯片是在硅晶圆上制造,在实际的制造环境中芯片的制程越小，硅晶圆的尺寸就越大，硅晶圆的尺寸包括8英寸、12英寸、18英寸大小，其硅晶圆的尺寸越大其衬底成本就越低，在制造过程中由于硅芯片是方形的，而硅晶圆是圆形的，故而在硅晶圆的四周一定会存留有边角料，边角料的存在造成了芯片的成本的增加，在对硅晶圆的加工过程中，未提前对硅晶圆四周边角料区域进行屏蔽，在多道晶圆片表面的处理中常也会对边角料进行处理，多余的处理会造成设备加工成本的增加，为此先提出一种晶圆结构的制作方法及晶圆结构。

发明内容

本发明的目的是为了解决现有边角料的存在造成了芯片的成本的增加，在对硅晶圆的加工过程中，未提前对硅晶圆四周边角料区域进行屏蔽，在多道晶圆片表面的处理中常也会对边角料进行处理，多余的处理会造成设备加工成本的增加的问题，而提出的一种晶圆结构的制作方法及晶圆结构，其针对硅晶圆在进行制造过程中存在边角料的情况进行设计，通过设置加工置物盘对边角料区域进行覆盖遮蔽，使得在后续对晶圆的芯片电路制造加工过程中，取消原先将对边角料区域的加工，减小芯片电路制造过程中的加工面积，降低加工成本。

为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：

一种晶圆结构，包括硅晶圆体和加工置物盘，所述硅晶圆体由硅晶圆片和矩形芯片组成，所述加工置物盘包括承载座，所述承载座上通过电磁支撑组件连接有承载盘，所述承载座上四周均通过内移动件连接有移动外罩体，所述移动外罩体顶部设置有屏蔽罩，所述屏蔽罩呈扇形设置，且多个所述扇形设置的多个屏蔽罩在聚拢时呈环形设置。

优选地，所述电磁支撑组件包括设置在承载座上的内环体，所述内环体底部设置有电磁盘，所述电磁盘通过复位弹簧连接有永磁盘，所述永磁盘顶部与承载盘底部连接，所述承载盘底部设置有与内环体相套接的外环体。

优选地，所述电磁盘与永磁盘之间磁极相同，相互之间形成磁斥力。

优选地，所述内移动件包括设置在承载座上的U型块，所述U型块通过抵触弹簧连接有限位滑块，所述限位滑块一端与移动外罩体连接。

优选地，所述承载盘底部设置有下压三角块，所述限位滑块上表面开设有与下压三角块相适配的配合受力槽。

一种晶圆结构的制作方法，包括以下步骤：

S1、硅晶圆制造成型：对高纯度的多晶硅进行高温生长制成单晶硅，在将单晶硅制成硅晶棒，再对硅晶棒进行切割制成一定规格的硅晶片，对硅晶切割面进行打磨抛光处理；

S2、硅晶圆组合装配：将经S1处理后的硅晶圆放置在加工置物盘上，硅晶圆自身的重力会施加承载盘压力，在压力的一系列传动作用下带动移动外罩体由外向内移动，实现屏蔽罩对硅晶圆上非芯片区域的全覆盖；