[发明专利]一种晶圆结构的制作方法及晶圆结构

权利要求书

1.一种晶圆结构，包括硅晶圆体和加工置物盘，其特征在于，所述硅晶圆体由硅晶圆片(1)和矩形芯片(2)组成，所述加工置物盘包括承载座(3)，所述承载座(3)上通过电磁支撑组件连接有承载盘(4)，所述承载座(3)上四周均通过内移动件连接有移动外罩体(5)，所述移动外罩体(5)顶部设置有屏蔽罩(6)，所述屏蔽罩(6)呈扇形设置，且多个所述扇形设置的多个屏蔽罩(6)在聚拢时呈环形设置。

2.根据权利要求1所述的一种晶圆结构，其特征在于，所述电磁支撑组件包括设置在承载座(3)上的内环体(7)，所述内环体(7)底部设置有电磁盘(8)，所述电磁盘(8)通过复位弹簧连接有永磁盘(9)，所述永磁盘(9)顶部与承载盘(4)底部连接，所述承载盘(4)底部设置有与内环体(7)相套接的外环体(10)。

3.根据权利要求2所述的一种晶圆结构，其特征在于，所述电磁盘(8)与永磁盘(9)之间磁极相同，相互之间形成磁斥力。

4.根据权利要求1所述的一种晶圆结构，其特征在于，所述内移动件包括设置在承载座(3)上的U型块(11)，所述U型块(11)通过抵触弹簧连接有限位滑块(12)，所述限位滑块(12)一端与移动外罩体(5)连接。

5.根据权利要求4所述的一种晶圆结构，其特征在于，所述承载盘(4)底部设置有下压三角块(13)，所述限位滑块(12)上表面开设有与下压三角块(13)相适配的配合受力槽(14)。

6.一种晶圆结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、硅晶圆制造成型：对高纯度的多晶硅进行高温生长制成单晶硅，在将单晶硅制成硅晶棒，再对硅晶棒进行切割制成一定规格的硅晶片，对硅晶切割面进行打磨抛光处理；

S2、硅晶圆组合装配：将经S1处理后的硅晶圆放置在加工置物盘上，硅晶圆自身的重力会施加承载盘(4)压力，在压力的一系列传动作用下带动移动外罩体(5)由外向内移动，实现屏蔽罩(6)对硅晶圆上非芯片区域的全覆盖；

S3、硅晶圆芯片电路制造：依次对硅晶圆上进行表面导电面处理，进行曝光处理，在硅晶圆表面形成气相薄膜，再进行光阻形成、蚀刻处理，制成带有制程芯片的硅晶圆半成品；

S4、硅晶圆打磨前预处理：对放置在加工置物盘上的硅晶圆半成品进行处理，对设置在加工置物盘上的电磁盘(8)进行供电，利用电磁力进行支撑承载盘(4)上的硅晶圆半成品，抬升硅晶圆半成品的同时，将原先覆盖在硅晶圆半成品四周的屏蔽罩(6)向外远离，将完整的硅晶圆半成品裸露在外；

S5、金圆片打磨；将经S4预处理后的完整的硅晶圆半成品移动到打磨设备处，打磨设备高速旋转达到对硅晶圆半成品上的制程芯片的有效打磨，得到成品硅晶圆芯片；

S6、芯片分割边角料回收：将成品硅晶圆芯片与加工置物盘进行脱离，再对脱离后的成品硅晶圆芯片根据矩形芯片(2)的分布进行切割，分割后残存的边角料进行回收再利用。

7.根据权利要求6所述的一种晶圆结构的制作方法，其特征在于，所述S2中一系列传动作用包括承载盘(4)下压，带动设置在承载盘(4)底部设置的下压三角块(13)移动，在下压三角块(13)进行移动后会移入到配合受力槽(14)内，实现对限位滑块(12)的带动移动，进而带动与限位滑块(12)连接的移动外罩体(5)的移动。

8.根据权利要求6所述的一种晶圆结构的制作方法，其特征在于，所述S6中经屏蔽罩(6)作用下的边角料其不会经过S3硅晶圆芯片电路制造的一系列加工，未被加工污染的边角料可直接在回收在S1中硅晶圆制造成型中参与成型过程。