[发明专利]一种具有反光膜的迎宾踏板的制备方法及迎宾踏板

权利要求书

1.一种具有反光膜的迎宾踏板的制备方法，其特征在于：包括

A.对基体进行预处理以去除基体表面杂质；

B.往基体表面上涂底漆；

C.于基体表面采用真空镀膜的方式镀反光膜；

D.采用高压离子轰击经镀膜后的基体；

E.对经高压离子轰击后的基体镀SiO过渡保护膜；

F.对经步骤E处理后的基体镀MgF₂保护膜。

2.根据权利要求1所述的具有反光膜的迎宾踏板的制备方法，其特征在于：步骤A具体包括

A1.采用去离子水对基体进行超声波清洗20-30min；

A2.采用纯净水清洗基体20-30min；

A3.采用烘箱对基体进行2-3h烘干。

3.根据权利要求1所述的具有反光膜的迎宾踏板的制备方法，其特征在于：步骤B具体包括

B1.采用喷涂或浸入的方式对基体进行涂抹底漆；

B2.对涂抹底漆后的基体进行烘干，烘干时间为23-25h。

4.根据权利要求1所述的具有反光膜的迎宾踏板的制备方法，其特征在于：在步骤C中，所述反光膜为铝膜或银膜。

5.根据权利要求1所述的具有反光膜的迎宾踏板的制备方法，其特征在于：步骤D具体包括

D1.把基体低压惰性气体环境中；

D2.对基体加以直流电，该直流电的电压为2000-3500V，电流为4-6A；通过直流电产生稳定的辉光放电；

D3.经辉光放电产生等离子流以轰击反光膜表面100-200s。

6.根据权利要求5所述的具有反光膜的迎宾踏板的制备方法，其特征在于：在步骤D中，所述低压惰性气体所用气体为氮气，气压为4-6Pa。

7.根据权利要求1所述的具有反光膜的迎宾踏板的制备方法，其特征在于：步骤E具体为：在压强为1*10^-3-10^-5Pa的环境下，以16-20A/s的速率对基体进行镀SiO过渡保护膜，执行时间为5-7s。

8.根据权利要求1所述的具有反光膜的迎宾踏板的制备方法，其特征在于：步骤F采用离子束辅助沉积技术进行镀MgF₂保护膜。

9.根据权利要求8所述的具有反光膜的迎宾踏板的制备方法，其特征在于：步骤F具体包括

F1.以基体作为阴极，MgF₂作为阳极构成离子束辅助沉积电路；

F2.调整基体周围的气压至1-3*10^-2Pa，然后启动离子束辅助沉积电路以在基体表面形成MgF₂耐磨保护膜；

F3.辅助沉积完成后，往真空镀膜设备内充入1Pa的氩气，通过氩离子轰击基体以清理基体表面的不规则凸起，清理时间为10-20min。

10.一种迎宾踏板，其特征在于：采用权利要求1-9任意一项所述的制备方法制得；

包括依此设置的基体、底漆、反光膜、过渡保护膜以及耐磨擦保过渡保护膜的材料为SiO，耐磨擦保护膜的材料为MgF₂。