[发明专利]具有经改进热性能的集成电路

说明书

本公开涉及具有经改进热性能的集成电路。公开一种用于功率相关应用的电子装置(100)。所述电子装置(100)包含：多层衬底(102)，其包括第一金属层(112)、第二金属层(114)及安置于所述第一金属层(112)与所述第二金属层(114)之间的中间层(116)。所述第一金属层(112)划分成数个区段(118、120)，其中所述数个区段(118、120)中的每一者具有第一表面(122)及图案化到所述第一表面(122)上的电路。引线框(104)附接到所述第一金属层(112)的外部，且裸片(106)附接到所述第一金属层(112)的所述数个区段(118、120)中的每一者的所述第一表面(122)。

技术领域

本公开涉及电子装置，且更明确来说，涉及包含具有经改进热性能的多层衬底的集成电路。

背景技术

具有高额定功率(例如约3.6kW到7.0kW)的集成电路(IC)封装中的热性能取决于IC封装中的散热片或散热器。散热片是IC封装中的单件结构。因此，归因于散热片的单件结构配置，很难将IC封装的热阻减小到低于所期望值。另外，电路拓扑、功率输出及封装布局归因于单件散热片结构而受到限制。最后，单件散热片结构无法提供额外隔离材料(例如经隔离热界面材料)或其它结构所需的外部隔离以与外部系统或散热器组装。

发明内容

在所描述实例中，一种电子装置包含：多层衬底，其包括第一金属层、第二金属层及安置于所述第一金属层与所述第二金属层之间的中间层。所述第一金属层划分成数个区段，其中所述数个区段中的每一者具有第一表面及图案化到所述第一表面中的电路。引线框附接到所述第一金属层，且裸片附接到所述第一金属层的所述数个区段中的每一者的所述第一表面。

在所描述的另一实例中，一种功率转换器包含：多层衬底，其包括第一金属层、第二金属层及安置于所述第一金属层与所述第二金属层之间的中间层。所述第一金属缝划分成具有第一表面的第一区段、具有第一表面的第二区段及具有第一表面的第三区段。电路经图案化到所述第一区段的所述第一表面、所述第二区段的所述第一表面及所述第三区段的所述第一表面中。引线框附接到所述第一金属层的外部。裸片附接到所述第一区段的所述第一表面、所述第二区段的所述第一表面及所述第三区段的所述第一区段。

在所描述的另一实例中，一种方法包含提供多层衬底，所述多层衬底具有第一金属层、第二金属层及安置于所述第一金属层与所述第二金属层之间的中间层，所述第一金属层划分成数个区段。引线框附接到所述第一金属层的外部。裸片附接到所述第一金属层的所述经划分区段中的每一者的第一表面，且线接合从所述经划分区段中的每一者的所述裸片附接到所述引线框。模制化合物经形成于所述引线框的部分、所述多层衬底、每一裸片及所述线接合之上。

附图说明

图1A及1B分别是具有经划分衬底的实例电子装置的平面图及侧视图。

图2A及2B是包含经划分散热片的另一电子装置的平面图及侧视图。

图3A及3B说明图1A、1B、2A及2B中说明的实例电子装置的热性能。

图4是说明制造图1A及1B中说明的电子装置的方法的流程图。

具体实施方式

本文中公开一种制造电子装置且更明确来说制造集成电路(IC)封装的系统及方法。IC封装可包括功率小外形封装(PSOP)，其可包含用于功率电子器件(例如功率转换器、功率切换等)中的一或多个氮化镓场效应晶体管(GaN FET)。常规PSOP包含散热片或散热器，其在用于3.6kW到7.0kW的范围内的更高功率应用中时限制IC封装的热性能。另外，如上文提及，电路拓扑、功率输出及封装布局归因于单件散热片结构而受到限制。