[发明专利]具有经改进热性能的集成电路

权利要求书

1.一种电子装置，其包括：

多层衬底，其包括第一金属层、第二金属层及安置于所述第一金属层与所述第二金属层之间的中间层，所述第一金属层划分成数个区段，所述数个区段中的每一者具有第一表面及图案化到所述第一表面上的电路；

引线框，其附接到所述第一金属层；以及

裸片，其附接到所述第一金属层的所述数个区段中的每一者的所述第一表面。

2.根据权利要求1所述的电子装置，其中用于所述第一金属层的所述数个区段中的每一者的所述裸片包含氮化镓场效应晶体管。

3.根据权利要求2所述的电子装置，其中所述数个区段包括第一区段及第二区段，其中用于所述第一区段的所述氮化镓场效应晶体管经配置以操作为高侧氮化镓场效应晶体管，且用于所述第二区段的所述氮化镓场效应晶体管经配置以操作为低侧氮化镓场效应晶体管。

4.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述数个区段包括第一区段、第二区段及第三区段，附接到所述第一区段的所述裸片包含第一氮化镓场效应晶体管，附接到所述第二区段的所述裸片包含第二氮化镓场效应晶体管，且所述第三区段包含用以驱动所述电子装置的控制模块。

5.根据权利要求4所述的电子装置，其中附接到所述第一区段的所述裸片的所述第一氮化镓场效应晶体管经配置以操作为高侧氮化镓场效应晶体管，且附接到所述第二区段的所述裸片的所述第二氮化镓场效应晶体管经配置以操作为低侧氮化镓场效应晶体管。

6.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第一金属层及所述第二金属层包括铜。

7.根据权利要求6所述的电子装置，其中所述中间层包括陶瓷材料。

8.根据权利要求7所述的电子装置，其中所述陶瓷材料是氧化铝、氮化铝及氮化硅中的一者。

9.一种功率转换器，其包括：

多层衬底，其包括第一金属层、第二金属层及安置于所述第一金属层与所述第二金属层之间的中间层，所述第一金属层划分成具有第一表面的第一区段及具有第一表面的第二区段；

电路，其经图案化到所述第一区段的所述第一表面及所述第二区段的所述第一表面上；

引线框，其附接到所述第一金属层的外部；以及

裸片，其附接到所述第一区段的所述第一表面及所述第二区段的所述第一表面。

10.根据权利要求9所述的功率转换器，其中附接到所述第一金属层的所述第一区段的所述裸片包含经配置以操作为高侧氮化镓场效应晶体管的氮化镓场效应晶体管，且附接到所述第一金属层的所述第二区段的所述裸片包含经配置以操作为低侧氮化镓场效应晶体管的氮化镓场效应晶体管。

11.根据权利要求9所述的功率转换器，其中所述第一金属层划分成第三区段，其中电路经图案化到所述第三区段的第一表面上，且其中裸片附接到所述第三区段的所述第一表面。

12.根据权利要求11所述的功率转换器，其中附接到所述第一区段的所述裸片包含第一氮化镓场效应晶体管，附接到所述第二区段的所述裸片包含第二氮化镓场效应晶体管，且附接到所述第三区段的所述裸片包含用以驱动所述功率转换器的控制模块。

13.根据权利要求12所述的功率转换器，其中附接到所述第一区段的所述裸片的所述第一氮化镓场效应晶体管经配置以操作为高侧氮化镓场效应晶体管，且附接到用于所述第二区段的所述裸片的所述第二氮化镓场效应晶体管经配置以操作为低侧氮化镓场效应晶体管。

14.根据权利要求13所述的功率转换器，其中所述第一金属层及所述第二金属层包括铜。

15.根据权利要求14所述的功率转换器，其中所述中间层包括陶瓷材料。