[发明专利]掩膜板组件及曝光系统、显示面板及其制作方法有效
申请号: | 202211613772.3 | 申请日: | 2022-12-15 |
公开(公告)号: | CN115598919B | 公开(公告)日: | 2023-03-28 |
发明(设计)人: | 段淼;李林霜;朱钦富;陈黎暄 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F1/38;G03F7/20 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 谢璐 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 掩膜板 组件 曝光 系统 显示 面板 及其 制作方法 | ||
本申请公开了一种掩膜板组件及曝光系统、显示面板及其制作方法,该掩膜板组件包括:光强控制掩膜板、图案化掩膜板,所述光强控制掩膜板具有间隔设置的第一曝光区以及第二曝光区,所述第一曝光区的透光率大于所述第二曝光区的透光率;所述图案化掩膜板设于所述光强控制掩膜板远离光源的一侧,所述图案化掩膜板具有间隔设置的第一图案化区域以及第二图案化区域,其中,所述第一曝光区的垂直投影覆盖所述第一图案化区域的垂直投影,所述第二曝光区的垂直投影覆盖所述第二图案化区域的垂直投影。可以解决不同分辨率区域曝光不均匀的问题。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体涉及一种掩膜板组件及曝光系统、显示面板及其制作方法。
背景技术
随着新型显示技术的快速发展,器件的高度集成化成为了未来显示科技的新增长点。现有的显示器件中的驱动电路控制系统或信号传输系统等都是集成在印制电路板或覆晶薄膜的芯片上,再绑定连接到玻璃基面板上。若将外挂芯片系统集成在玻璃面板上,则可以很大程度上节省材料成本。因此,开发玻璃基集成电路意义重大。
而玻璃基集成电路就意味着存在分辨率差异较大的不同区域,若采用现有的曝光系统中的曝光条件对集成电路进行曝光时,受曝光量等影响,不同分辨率区域之间容易出现曝光不均匀的问题。
发明内容
本申请实施例提供一种掩膜板组件及曝光系统、显示面板及其制作方法,可以解决不同分辨率区域曝光不均匀的问题。
一方面,本申请实施例提供一种掩膜板组件,包括:光强控制掩膜板、图案化掩膜板,所述光强控制掩膜板具有间隔设置的第一曝光区以及第二曝光区,所述第一曝光区的透光率大于所述第二曝光区的透光率;所述图案化掩膜板设于所述光强控制掩膜板远离光源的一侧,所述图案化掩膜板具有间隔设置的第一图案化区域以及第二图案化区域,其中,所述第一曝光区的垂直投影覆盖所述第一图案化区域的垂直投影,所述第二曝光区的垂直投影覆盖所述第二图案化区域的垂直投影。
可选地,在本申请的一些实施例中,所述光强控制掩膜板还包括第一金属层,所述第一金属层对应所述第二曝光区设置。
可选地,在本申请的一些实施例中,所述光强控制掩膜板还包括第二金属层,所述第二金属层对应所述第一曝光区设置。
可选地,在本申请的一些实施例中,所述第一金属层的厚度大于所述第二金属层的厚度。
可选地,在本申请的一些实施例中,所述光强控制掩膜板还包括围绕所述第一曝光区以及所述第二曝光区的遮光区,所述光强控制掩膜板还包括至少一组第一夹持组件以及第一金属片,所述第一夹持组件设于所述遮光区且位于所述第二曝光区的相对两侧,所述第一夹持组件用于固定所述第一金属片。
可选地,在本申请的一些实施例中,所述光强控制掩膜板还包括至少一组第二夹持组件以及第二金属片,所述第二夹持组件设于所述遮光区且位于所述第一曝光区的相对两侧,所述第二夹持组件用于固定所述第二金属片。
可选地,在本申请的一些实施例中,所述第一金属片的垂直投影覆盖所述第二曝光区的垂直投影,所述第二金属片的垂直投影覆盖所述第一曝光区的垂直投影。
本申请还提供一种曝光系统,包括如上所述的掩膜板组件以及光源,所述光源与所述掩膜板组件对应设置。
另一方面,本申请还提供一种显示面板的制作方法,采用如上所述的曝光系统,所述显示面板的制作方法包括:提供一光强控制掩膜板,所述光强控制掩膜板上设有间隔设置的第一曝光区以及第二曝光区,所述第一曝光区的透光率大于所述第二曝光区的透光率;提供一图案化掩膜板,将所述图案化掩膜板设于所述光强控制掩膜板远离光源的一侧,所述图案化掩膜板上设有间隔设置的第一图案化区域以及第二图案化区域,所述第一曝光区的垂直投影覆盖所述第一图案化区域的垂直投影,所述第二曝光区的垂直投影覆盖所述第二图案化区域的垂直投影。
本申请还提供一种显示面板,采用如上所述的显示面板的制作方法制备而成。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
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