[发明专利]掩膜板组件及曝光系统、显示面板及其制作方法有效
申请号: | 202211613772.3 | 申请日: | 2022-12-15 |
公开(公告)号: | CN115598919B | 公开(公告)日: | 2023-03-28 |
发明(设计)人: | 段淼;李林霜;朱钦富;陈黎暄 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F1/38;G03F7/20 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 谢璐 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 掩膜板 组件 曝光 系统 显示 面板 及其 制作方法 | ||
1.一种掩膜板组件,其特征在于,包括:
光强控制掩膜板,所述光强控制掩膜板具有间隔设置的第一曝光区以及第二曝光区,所述第一曝光区的透光率大于所述第二曝光区的透光率;
图案化掩膜板,所述图案化掩膜板设于所述光强控制掩膜板远离光源的一侧,所述图案化掩膜板具有间隔设置的第一图案化区域以及第二图案化区域,其中,所述第一曝光区的垂直投影覆盖所述第一图案化区域的垂直投影,所述第二曝光区的垂直投影覆盖所述第二图案化区域的垂直投影;其中,
所述第一图案化区域的透光率与所述第二图案化区域的透光率相同,所述第一图案化区域设有多个间隔设置的第一子曝光区,所述第二图案化区域设有多个间隔设置的第二子曝光区,所述第一子曝光区的横截面宽度小于或者等于300纳米,所述第二子曝光区的横截面宽度大于或者等于2微米。
2.根据权利要求1所述的掩膜板组件,其特征在于,所述光强控制掩膜板还包括第一金属层,所述第一金属层对应所述第二曝光区设置。
3.根据权利要求2所述的掩膜板组件,其特征在于,所述光强控制掩膜板还包括第二金属层,所述第二金属层对应所述第一曝光区设置。
4.根据权利要求3所述的掩膜板组件,其特征在于,所述第一金属层的厚度大于所述第二金属层的厚度。
5.根据权利要求1所述的掩膜板组件,其特征在于,所述光强控制掩膜板还包括围绕所述第一曝光区以及所述第二曝光区的遮光区,所述光强控制掩膜板还包括至少一组第一夹持组件以及第一金属片,所述第一夹持组件设于所述遮光区且位于所述第二曝光区的相对两侧,所述第一夹持组件用于固定所述第一金属片。
6.根据权利要求5所述的掩膜板组件,其特征在于,所述光强控制掩膜板还包括至少一组第二夹持组件以及第二金属片,所述第二夹持组件设于所述遮光区且位于所述第一曝光区的相对两侧,所述第二夹持组件用于固定所述第二金属片。
7.根据权利要求6所述的掩膜板组件,其特征在于,所述第一金属片的垂直投影覆盖所述第二曝光区的垂直投影,所述第二金属片的垂直投影覆盖所述第一曝光区的垂直投影。
8.一种曝光系统,其特征在于,包括如权利要求1-7中任一项所述的掩膜板组件以及光源,所述光源与所述掩膜板组件对应设置。
9.一种显示面板的制作方法,其特征在于,采用如权利要求8所述的曝光系统,所述显示面板的制作方法包括:
提供一光强控制掩膜板,所述光强控制掩膜板上设有间隔设置的第一曝光区以及第二曝光区,所述第一曝光区的透光率大于所述第二曝光区的透光率;
提供一图案化掩膜板,将所述图案化掩膜板设于所述光强控制掩膜板远离光源的一侧,所述图案化掩膜板上设有间隔设置的第一图案化区域以及第二图案化区域,所述第一曝光区的垂直投影覆盖所述第一图案化区域的垂直投影,所述第二曝光区的垂直投影覆盖所述第二图案化区域的垂直投影。
10.一种显示面板,其特征在于,采用如权利要求9所述的显示面板的制作方法制备而成。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备