[发明专利]一种基于波兹编码方案的数字域存内计算电路及方法

权利要求书

1.一种基于波兹编码方案的数字域存内计算电路，其特征在于：该电路包括全局字线驱动模块、读写端口、时序控制、存算控制、波兹编码输入单元、外部移位加法单元以及由8个在列上重复排列的存算单元构成；每一个存算单元包括包括4个SRAM存储单元阵列、4个波兹乘法单元阵列、4个多通道加法树单元、1个外部移位加法单元，在列上重复排列的多个存算单元共用1个波兹编码输入单元。

2.根据权利要求1所述的一种基于波兹编码方案的数字域存内计算电路，其特征在于，所述SRAM存储单元阵列包括多个分裂字线SRAM存储单元、局部位线(LBL)、互补局部位线(LBLB)、全局位线(GBL)、互补全局位线(GBLB)，横向字线(HWL)、字线(WL)、读字线(RWL)、第一NMOS管(N1)，第二NMOS管(N2)，第一PMOS管(P1)，第二PMOS管(P2)；所述SRAM存储单元的数据存储节点均与局部位线(LBL)相连，所述SRAM存储单元的互补数据存储节点均与互补局部位线(LBLB)相连；第一NMOS管(N1)源极连接全局位线(GBL)，漏极连接局部位线(LBL)，栅极连接横向字线(HWL)；第二NMOS管(N2)源极连接互补全局位线(GBLB)，漏极连接互补局部位线(LBLB)，栅极连接横向字线(HWL)。

3.根据权利要求1所述的一种基于波兹编码方案的数字域存内计算电路，其特征在于，所述波兹乘法单元阵列包括多个波兹乘法单元波兹编码输入单元的移位互补(SHIFTB)、置零ZERO、取反结果作为五个输入控制线，同时输入到多个波兹乘法单元；一个波兹乘法单元包括第三NMOS管(N3)，第四NMOS管(N4)，第五NMOS管(N5)，第六NMOS管(N6)，第七NMOS管(N7)，第八NMOS管(N8)，第九NMOS管(N9)，第十NMOS管(N10)，第十一NMOS管(N11)，第十二NMOS管(N12)，第一反相器(INV1)，第二反相器(INV2)，移位单元包括第一传输门(TG1)，第二传输门(TG2)，第三传输门(TG3)，第四传输门(TG4)；其中，第三NMOS管(N3)的源极接局部位线(LBL)，漏极接全局位线(GBL)，栅极接横向字线(HWL)；第四NMOS管(N4)的源极接互补局部位线(LBLB)，漏极接互补全局位线(GBLB)，栅极接横向字线(HWL)；第五NMOS管(N5)的源极接局部位线(LBL)，栅极接全局位线(GBL)，漏极分别与第六NMOS管(N6)的漏极、第九NMOS管(N9)的漏极、第一传输门(TG1)输入端和第三传输门(TG3)输入端连接；第六NMOS管(N6)的源极接第一反相器(INV1)输出端，栅极接互补全局位线(GBLB)；第七NMOS管(N7)的源极接互补局部位线(LBLB)，栅极接全局位线(GBL)，漏极分别与第八NMOS管(N8)的漏极、第十NMOS管(N10)的漏极、第二传输门(TG2)输入端和第四传输门(TG4)输入端连接；第八NMOS管(N8)的源极接第二反相器(INV2)输出端，栅极接互补全局位线(GBLB)；第九NMOS管(N9)的源极接地(VSSm)，栅极接置零(ZERO)；第十NMOS管(N10)的源极接地(VSSm)，栅极接置零(ZERO)；第十一NMOS管(N11)的源极接地(VSSm)，漏极接部分积[2:0]的最高位(PP2)，栅极接移位互补(SHIFTB)；第十二NMOS管(N12)的源极接地(VSSm)，漏极接部分积[2:0]的最低位(PP0)，栅极接移位(SHIFT)；第一反相器(INV1)的输入端接局部位线(LBL)；第二反相器(INV2)的输入端接互补局部位线(LBLB)，输出端接第八NMOS管(N8)源极；第一传输门(TG1)的输出端接部分积[2:0]的最高位(PP2)，控制端接移位(SHIFT)，互补控制端接移位互补(SHIFTB)；第二传输门(TG2)的输出端接部分积[2:0]的中间位(PP1)，控制端接移位(SHIFT)，互补控制端接移位互补(SHIFTB)；第三传输门(TG3)的输出端接部分积[2:0]的中间位(PP1)，控制端接移位互补(SHIFTB)，互补控制端接移位(SHIFT)；第四传输门(TG4)的输出端接部分积[2:0]的最低位(PP0)，控制端接移位互补(SHIFTB)，互补控制端接移位(SHIFT)。