[发明专利]驱动背板和显示面板在审
申请号: | 202211601826.4 | 申请日: | 2022-12-13 |
公开(公告)号: | CN115831977A | 公开(公告)日: | 2023-03-21 |
发明(设计)人: | 罗传宝 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/15 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杨艇要 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 驱动 背板 显示 面板 | ||
本申请公开一种驱动背板和显示面板。所述驱动背板包括基板、第一导电层、有源层、绝缘层以及第二导电层。第一导电层设置在基板上,有源层包括源接触部、漏接触部以及连接源接触部和漏接触部的沟道部,源接触部覆盖部分子源极、漏接触部覆盖部分子漏极,沟道部覆盖子源极和子漏极之间的空隙;绝缘层设置在第一导电层远离基板的一侧,并覆盖第一导电层和有源层;第二导电层设置在绝缘层远离基板的一侧,第二导电层包括主漏极和栅极,主漏极与子漏极连接,栅极在基板上的正投影至少覆盖沟道部在基板上的正投影。本申请可以实现窄沟道,提高沟道部的迁移率,提高驱动背板的可靠性。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体涉及一种驱动背板和显示面板。
背景技术
随着显示技术与面板行业的不断发展,MLED(Micro/Mini Light-EmittingDiode,微/迷你发光二极管)显示技术出现在大众的视野。相较于OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)显示技术,MLED显示技术可以在成本、对比度、高亮度以及外形美观上表现出更佳性能。
在MLED显示技术中,顶栅型薄膜晶体管可以在更小的空间获得更大的电容,得到广泛应用,但是制程中的光罩数量较多。对此,GSD(Gate/Source/Drain one Layer,栅极、主源极、主漏极位于同一层)型的薄膜晶体管相较于现有的顶栅型薄膜晶体管节省了一道光罩,降低了成本。但是,GSD型的薄膜晶体管较难实现窄沟道和高迁移率。
发明内容
本申请提供一种驱动背板和显示面板,能够实现窄沟道,提高沟道部的迁移率。
本申请提供一种驱动背板,其包括:
基板;
第一导电层,设置在所述基板上,所述第一导电层包括子源极和子漏极;
有源层,设置在所述第一导电层远离所述基板的一侧,所述有源层包括源接触部、漏接触部以及连接所述源接触部和所述漏接触部的沟道部,所述源接触部覆盖部分所述子源极、所述漏接触部覆盖部分所述子漏极,所述沟道部覆盖所述子源极和所述子漏极之间的空隙;
绝缘层,设置在所述第一导电层远离所述基板的一侧,并覆盖所述第一导电层和所述有源层;以及
第二导电层,设置在所述绝缘层远离所述基板的一侧,所述第二导电层包括主漏极和栅极,所述主漏极与所述子漏极连接,所述栅极在所述基板上的正投影至少覆盖所述沟道部在所述基板上的正投影。
可选的,在本申请一些实施例中所述第一导电层的材料和所述第二导电层的材料不同,所述第一导电层的线宽小于所述第二导电层的线宽。
可选的,在本申请一些实施例中,所述栅极在所述基板上的正投影与所述子源极在所述基板上的正投影至少部分重叠,所述栅极在所述基板上的正投影与所述子漏极在所述基板上的正投影至少部分重叠。
可选的,在本申请一些实施例中,所述栅极在所述基板上的正投影与所述沟道部在所述基板上的正投影重叠,所述源接触部具有第一掺杂区,所述漏接触部具有第二掺杂区。
可选的,在本申请一些实施例中,所述驱动背板还包括第三导电层,所述第三导电层位于所述第二导电层远离所述基板的一侧,所述第三导电层包括连接电极,所述连接电极与所述主源极连接,所述连接电极在所述基板上的正投影至少覆盖所述有源层在所述基板上的正投影。
可选的,在本申请一些实施例中,所述第二导电层还包括主源极,所述栅极位于所述主源极和所述主漏极之间,所述主源极与所述子源极连接,所述连接电极与所述主源极连接。
可选的,在本申请一些实施例中,所述连接电极在所述基板上的正投影完全覆盖所述有源层在所述基板上的正投影,并覆盖至少部分所述主漏极在所述基板上的正投影,沿垂直于所述基板的方向,所述连接电极与所述主漏极的重叠部分的长度为2微米至5微米。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的