[发明专利]一种提升太阳能电池转换效率的SE工艺在审
申请号: | 202211594857.1 | 申请日: | 2022-12-13 |
公开(公告)号: | CN115775847A | 公开(公告)日: | 2023-03-10 |
发明(设计)人: | 李科伟;何秋霞;唐义武;李苏强;俞超 | 申请(专利权)人: | 环晟光伏(江苏)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/06 |
代理公司: | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人: | 栾志超 |
地址: | 214200 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提升 太阳能电池 转换 效率 se 工艺 | ||
本发明提供一种提升太阳能电池转换效率的SE工艺,包括:对制绒的硅基体进行磷扩散处理,其氧化后形成磷硅玻璃层;对应栅线波动区域在所述磷硅玻璃层上进行激光光斑照射,能够激活所述光斑处的所述磷硅玻璃层中的磷离子,形成重掺;其中,所述光斑交错设置;去除所述磷硅玻璃层,掺杂完成。本发明的有益效果是在保证副栅套印宽度的前提下减小重掺区域的面积,将SE激光光斑由光斑相切整齐排列,改成交错排列且不一定相切的光斑,在保证栅线能够落在重掺区域的前提下,减少重掺面积1‑25%。
技术领域
本发明属于太阳能电池技术领域,尤其是涉及一种提升太阳能电池转换效率的SE工艺。
背景技术
太阳能电池生产过程中,为了高的转换效率,在扩散后增加了SE工序,主要目的是将PSG(磷硅玻璃)内的磷原子在激光的作用下进行进一步选择性掺杂到硅片表面,在网版副栅线下方形成重掺区域并与副栅线进行匹配,改善欧姆接触,非重掺区域保持较高方阻。也就是说重掺损失光电转换性能但改善欧姆接触,轻掺有较好的光电转换性能但损害欧姆接触,同时由于丝网印刷时网版在不同寿命时栅线的位置会有一定位移,所以SE重掺区域的宽度往往远大于副栅线宽度,否则副栅线与SE重掺区域会失配导致欧姆接触差,造成低效和EL不良。
一般SE重掺区域的设计为方形光斑相切形成一条长方形的重掺区域,宽度为副栅线宽度的2-3倍,除副栅线宽度区域外,多出来的部分实际是浪费的,会造成一定的效率损失。
发明内容
本发明要解决的问题是提供一种提升太阳能电池转换效率的SE工艺,有效的解决现有技术中SE重掺区域的设计为方形光斑相切形成一条长方形的重掺区域,宽度为副栅线宽度的2-3倍,除副栅线宽度区域外,多出来的部分实际是浪费的,造成一定的效率损失的问题。
为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案是:一种提升太阳能电池转换效率的SE工艺,包括:
对制绒后的硅基体进行磷扩散处理,形成磷硅玻璃层;
对应栅线波动区域在所述磷硅玻璃层上进行激光光斑照射,能够激活所述光斑处的所述磷硅玻璃层中的磷离子,形成重掺;其中,
所述光斑交错设置;
去除所述磷硅玻璃层,掺杂完成。
进一步的,相邻所述光斑之间抵接或搭接设置。
进一步的,所述光斑的宽度设置为X1,所述栅线波动区域的宽度设置为X2,
进一步的,栅线印刷区域宽度设置为X3,2X1≥X2+X3。
进一步的,所述激光光斑的能量为0.5-2W。
进一步的,掺杂后的所述硅基体的方阻值为30-50Ω/sqr。
进一步的,使用HF去除所述硼硅玻璃层。
进一步的,所述HF的浓度为5-15%。
采用上述技术方案,在保证副栅套印宽度的前提下减小重掺区域的面积,将SE激光光斑由光斑相切整齐排列,改成交错排列且不一定相切的光斑,在保证栅线能够落在重掺区域的前提下,减少重掺面积1-25%。
采用上述技术方案,通过降低重掺区域的方阻来满足欧姆接触效果,提高转换效率,SE后掺杂方阻由原来的50-70Ω/sqr,调整为30-50Ω/sqr。
附图说明
图1是本发明对比例一种提升太阳能电池转换效率的SE工艺原光斑位置
图2是本发明实施例一种提升太阳能电池转换效率的SE工艺现光斑位置
图中:
1、栅线印刷区域2、栅线波动区域
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于环晟光伏(江苏)有限公司,未经环晟光伏(江苏)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211594857.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种薄膜激光调阻探针卡
- 下一篇:电极片接料方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的