[发明专利]一种薄膜激光调阻探针卡

说明书

本发明涉及一种薄膜电阻器调阻探针卡，属于激光调阻领域，包括：PCB板和探针；所述PCB板设有开口，用于放置所述探针；所述探针包括多个并列设置的探针组，每个探针组包括第一探针单元和第二探针单元，所述第一探针单元和第二探针单元相对设置，所述第一探针单元包括两根并列且平行的探针头，所述第二探针单元包括两根并列且平行的探针头。本发明可以避免薄膜电路产品在调阻过程中产生的严重的测试痕迹以及提升产品的调阻效率。

技术领域

本发明涉及激光调阻领域，特别是涉及一种薄膜激光调阻探针卡。

背景技术

自薄膜电路主要包括衰减器、滤波器、放大器和电阻器，电阻器在电路中主要起电源分流、信号控制、保护电路等作用，是薄膜电路中的重要分类。

薄膜工艺，主要制备流程为：热处理、溅射、电镀、光刻、腐蚀。溅射膜层较薄，是连接陶瓷与功能层的关键膜层，为了获得良好的结合力，常规的膜层结构为：TaN、TiW、Ni、Au，TaN为底层电阻材料，Au为表面电极材料。电阻器的方阻范围通常为10Ω/□至300Ω/□，常见的有25Ω/□、50Ω/□、100Ω/□，结构一般为串联，在衰减器中也有并联形式。薄膜电路属于混合集成电路(HICHybridIntegratedCircuit)中的组成部分，衬底通常为氧化铝、氮化铝和氧化铍等低介电常数、高热导率材质，衬底的厚度一般为：0.1mm至1.0mm。常规的溅射膜层结构为：钛钨、镍、金，膜层厚度约0.5um；电镀膜层为：软金，膜层厚度约4um。电阻膜层通常为多价态混合物，主要成分以+3价、+5价的氮化钽化合物为主，以标准的抛光硅片测试方阻为50Ω/□的电阻膜层厚度，结果显示膜层厚度仅为50nm左右，激光调阻工艺就是针对该膜层的特殊修正工艺，该工艺在厚膜电路中使用较为广泛，如公开号为CN201922286617.5、CN201610722837.6、CN202020098826.7等，但在薄膜电路中的应用仍处于起步阶段。

薄膜电路激光调阻，要求是电极测试痕迹统一对称、刮伤轻微、测试结果稳定等。设备中与产品直接接触的部件是探针，它的组成部分包括：PCB板、环氧树脂凝固胶、电极金属测试针等。电极常用的探针材质有钨、铼钨、铍铜、银钨等，按硬度从大到小为：铼钨、银钨、钨、铍铜，薄膜电路表面电镀的一般是软金，因此需要选择最软、接触电阻最低的探针材质。经过多次实验测试，铍铜是最合适的材质，厚膜产品一般选择硬度更高的铼钨。探针的设计制作和参数的选取会对产品的外观和性能造成重要影响。调阻和激光调阻较难且存在测试电极痕迹，主要涉及对准精度和测试痕迹问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种薄膜激光调阻探针卡，可以避免薄膜电路产品在调阻过程中产生的严重的测试痕迹以及提升产品的调阻效率。

为实现上述目的，本发明提供了如下方案：

一种薄膜电阻器调阻探针卡，包括：PCB板和探针；

所述PCB板设有开口，用于放置所述探针；

所述探针包括多个并列设置的探针组，每个探针组包括第一探针单元和第二探针单元，所述第一探针单元和第二探针单元相对设置，所述第一探针单元包括两根并列且平行的探针头，所述第二探针单元包括两根并列且平行的探针头。

可选的，所述第一探针单元和第二探针单元之间的距离为700um。

可选的，每个探针单元内的两根探针头之间的距离为120um。

可选的，所述探针组之间的距离为1180um。

可选的，所述探针头的材质为铍铜。

可选的，所述探针包括12个并列设置的探针组。

根据本发明提供的具体实施例，本发明公开了以下技术效果：

本发明提供一种薄膜激光调阻探针，通过激光调阻和特定的夹具，可以避免薄膜电路产品在调阻过程中产生的严重的测试痕迹以及提升产品的调阻效率。