[发明专利]电介质陶瓷组合物和单板型电容器

说明书

本发明提供一种具有由通式AMOsubgt;3/subgt;表示的钙钛矿结构的主成分颗粒的电介质陶瓷组合物，其中，A位点包含Ba，M位点包含Ti，主成分颗粒的D50为960nm以下，主成分颗粒的D90为1460nm以下。

本申请以2022年2月14日提出申请的日本专利申请号2022-020711为基础主张优先权，通过参照其全部公开内容而引入本说明书中。

技术领域

本发明涉及一种电介质陶瓷组合物和电子部件。

背景技术

例如在日本特开昭51-76599号公报中为了达到高介电常数，公开有包含氧化锰、氧化铌和氧化铋的电介质陶瓷组合物。在日本特开昭51-76599号公报中记载有所获得的陶瓷的16KHz、800Vrms/mm、50℃下的损耗角良好。但是，在日本特开昭51-76599号公报中未对静电容量的电压特性进行探讨。

发明内容

发明想要解决的技术问题

本发明是鉴于这样的状况而完成的，其目的在于，提供一种静电容量的电压特性良好的电介质陶瓷组合物。

用于解决技术问题的手段

本发明所涉及的电介质陶瓷组合物具有由通式AMO₃表示的钙钛矿结构的主成分颗粒的电介质陶瓷组合物，其中，

A位点包含Ba，

M位点包含Ti，

上述主成分颗粒的D50为960nm以下，

上述主成分颗粒的D90为1460nm以下。

根据本发明所涉及的电介质陶瓷组合物，能够提供静电容量的电压特性良好的电介质陶瓷组合物。另外，“静电容量的电压特性良好”是指，规定的电压范围下的静电容量的变化率(电压静电容量变化率(VC))的绝对值小。

优选上述主成分颗粒的D50为330～960nm。

由此，电介质陶瓷组合物的静电容量的温度特性变得良好。另外，“静电容量的温度特性良好”是指，规定的温度范围下的静电容量的变化率(温度静电容量变化率(TC))的绝对值小。

本发明所涉及的电介质陶瓷组合物优选以金属元素换算计相对于100摩尔份的上述M位点的元素含有0.01～4摩尔份的第二副成分，上述第二副成分优选为选自Sm、Nd、La、Dy、Ce、Pr、Eu、Y、Gd、Tb、Ho、Er、Tm和Yb中的至少1种。

由此，电介质陶瓷组合物的静电容量的温度特性变得良好。

在本发明所涉及的电介质陶瓷组合物中，上述第二副成分也可以为选自Sm、Nd、La、Dy、Ce、Pr和Eu中的至少1种。

本发明所涉及的电介质陶瓷组合物优选以金属元素换算计相对于100摩尔份的上述M位点的元素含有0.01～2摩尔份的上述第二副成分。

由此，电介质陶瓷组合物的静电容量的温度特性变得更加良好。

本发明所涉及的电介质陶瓷组合物优选以金属元素换算计相对于100摩尔份的上述M位点的元素含有0～10摩尔份的第一副成分，上述第一副成分优选为选自Nb、Ta、Mo、W、Sn、Bi和Mg中的至少1种。

通过以金属元素换算计含有0～10摩尔份的第一副成分，从而能够良好地维持电介质陶瓷组合物的相对介电常数。当第一副成分的包含量过多时存在电介质陶瓷组合物的相对介电常数降低的倾向。

在本发明所涉及的电介质陶瓷组合物中，上述第一副成分也可以为选自Nb、Ta、Mo、W、Sn和Bi中的至少1种。

本发明所涉及的电子部件具有利用由上述的电介质陶瓷组合物获得的电介质陶瓷组合物构成的电介质层。