[发明专利]电介质陶瓷组合物和单板型电容器在审

专利信息
申请号: 202211590156.0 申请日: 2022-12-12
公开(公告)号: CN116589273A 公开(公告)日: 2023-08-15
发明(设计)人: 武藤和也;佐佐木真一;佐藤阳 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: C04B35/468 分类号: C04B35/468;C04B35/626;H01G4/12
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 杨琦;陈明霞
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电介质 陶瓷 组合 单板 电容器
【权利要求书】:

1.一种电介质陶瓷组合物,其中,

该电介质陶瓷组合物具有由通式AMO3表示的钙钛矿结构的主成分颗粒,

A位点包含Ba,

M位点包含Ti,

所述主成分颗粒的D50为960nm以下,

所述主成分颗粒的D90为1460nm以下。

2.如权利要求1所述的电介质陶瓷组合物,其中,

所述主成分颗粒的D50为330~960nm。

3.如权利要求1所述的电介质陶瓷组合物,其中,

以金属元素换算计,所述电介质陶瓷组合物中相对于100摩尔份的所述M位点的元素含有0.01~4摩尔份的第二副成分,

所述第二副成分为选自Sm、Nd、La、Dy、Ce、Pr、Eu、Y、Gd、Tb、Ho、Er、Tm和Yb中的至少1种。

4.如权利要求3所述的电介质陶瓷组合物,其中,

所述第二副成分为选自Sm、Nd、La、Dy、Ce、Pr和Eu中的至少1种。

5.如权利要求3所述的电介质陶瓷组合物,其中,

以金属元素换算计,所述电介质陶瓷组合物中相对于100摩尔份的所述M位点的元素含有0.01~2摩尔份的所述第二副成分。

6.如权利要求1~5中的任一项所述的电介质陶瓷组合物,其中,

以金属元素换算计,所述电介质陶瓷组合物中相对于100摩尔份的所述M位点的元素含有0~10摩尔份的第一副成分,

所述第一副成分为选自Nb、Ta、Mo、W、Sn、Bi和Mg中的至少1种。

7.如权利要求6所述的电介质陶瓷组合物,其中,

所述第一副成分为选自Nb、Ta、Mo、W、Sn和Bi中的至少1种。

8.一种单板型电容器,其中,

将权利要求1~7中的任一项所述的电介质陶瓷组合物制成电介质层。

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