[发明专利]一种高PSRR双环路LDO电路在审

专利信息
申请号: 202211570430.8 申请日: 2022-12-08
公开(公告)号: CN116088621A 公开(公告)日: 2023-05-09
发明(设计)人: 刘树钰;张明 申请(专利权)人: 江苏润石科技有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 胡杰
地址: 214111 江苏省无锡市新吴区弘毅路*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 psrr 环路 ldo 电路
【说明书】:

发明公开了一种高PSRR双环路LDO电路,涉及模拟集成电路技术领域,采用误差放大器、频率补偿电路、快速瞬态响应电路以及功率模块,误差放大器用于比较参考电压和输出电压的压差,并对功率管做出调整;频率补偿电路用于对整体电路的高频信号进行补偿,保持在高频下电路的稳定;快速瞬态响应电路用于负载变化时的快速调节,提高电路的瞬态响应能力,减小输出电压稳定时间;功率模块由一个PMOS管组成,用于驱动大电流;从而在保证电路稳定性的前提下,既满足低功耗的要求,也显著提高了电路的瞬态响应速度,减小负载变化所引起的输出电压的过冲和下冲,也有效解决了传统的LDO电路高频PSRR差的问题。

技术领域

本发明涉及模拟集成电路技术领域,特别是涉及一种高PSRR双环路LDO电路。

背景技术

近年来,便携式电子设备迅猛发展,为了匹配这些便携式电子设备的发展需求,满足它们对于电源的要求,需要设计电源管理系统控制多个电压,以满足不同的功能模块对电源电压的不同需求,一个性能优良的电源管理系统可以提升电源转换效率、稳定输出电压、延长电池使用时间以及延长电子设备寿命。

电源管理芯片主要包括DC-DC变换器、LDO稳压器(low dropout regulator,低压差线性稳压器)以及电荷泵三种,其中LDO稳压器具有体积小、噪声小等特点,相对于其他电源管理芯片其成本低廉的同时,也便于实现片上集成,因此受到人们的广泛关注,在市场中也具有绝对的优势。

传统的LDO稳压器使用大型片外电容来保持在输出端瞬态负载切换时的稳定性,同时也减小瞬态响应中的过冲和下冲,片外电容越大,电压毛刺就越小,但是大的片外电容不能集成在芯片上。

无片外电容的LDO稳压器有助于减小芯片面积,增加集成度从而减小芯片成本,因此设计一个无需片外电容即可实现稳定和快速瞬态响应的LDO电路已成为当今LDO稳压器设计的一个热点。

发明内容

为了解决以上技术问题,本发明提供一种高PSRR双环路LDO电路,包括误差放大器、频率补偿电路、快速瞬态响应电路以及功率模块;

误差放大器,其两个输入端分别连接有参考电压VREF和输出电压Vout,输出端分别连接于频率补偿电路和快速瞬态响应电路的输入端,用于比较参考电压VREF和输出电压Vout的压差,并对功率管做出调整;

频率补偿电路,用于对整体电路的高频信号进行补偿,保持在高频下电路的稳定;

快速瞬态响应电路,用于在负载变化时进行快速调节,提高电路的瞬态响应能力,减小输出电压稳定时间;

功率模块,连接于频率补偿电路和快速瞬态响应电路的输出端,用于驱动大电流。

本发明进一步限定的技术方案是:

进一步的,功率模块设置为PMOS管。

前所述的一种高PSRR双环路LDO电路,包括PMOS管PM1~PMOS管PM12、NMOS管NM1~NMOS管NM8、电容C1~电容C5以及电阻R1~电阻R11;

其中,误差放大器包括PMOS管PM2~PMOS管PM5、NMOS管NM1、NMOS管NM2、NMOS管NM4、NMOS管NM5以及NMOS管NM10;

频率补偿电路和快速瞬态响应电路构成的整体包括PMOS管PM1和PMOS管PM6~PMOS管PM12、NMOS管NM3~NMOS管NM8、电容C1~电容C5以及电阻R1~电阻R4以及电阻R7~电阻R11。

前所述的一种高PSRR双环路LDO电路,PMOS管PM1~PMOS管PM12均设置为单极型PMOS管,NMOS管NM1~NMOS管NM8均设置为单极型NMOS管。

前所述的一种高PSRR双环路LDO电路,误差放大器中,PMOS管PM2的栅极连接PMOS管PM3的栅极,源极连接VDD,漏极连接NMOS管NM3的漏极;

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