[发明专利]一种成膜装置晶片加热热场

说明书

本发明公开一种成膜装置晶片加热热场，涉及半导体生产设备技术领域，包括进气室、反应室和基座；所述进气室底部设置有所述反应室，且所述进气室与所述反应室相连通；所述基座位于所述反应室内下部，且所述基座位于所述进气室正下方；所述基座顶部用于承托晶片；所述基座内设置有基座热场，所述基座热场用于对所述晶片加热；所述反应室底部设置有排气口。本发明中的成膜装置晶片加热热场，热场置于基座内部可以确保晶片的升温效率，避免外周部气体流动的影响。基座内部热场发热面正对晶片背面，由多个发热体共同组成，尽可能增大发热面且面内各处保持相同的发热量。

技术领域

本发明涉及半导体生产设备技术领域，特别是涉及一种成膜装置晶片加热热场。

背景技术

立式成膜装置被广泛应用于半导体行业，制备晶片时具有高效的生产速率和较好的成膜质量。成膜时晶片位于反应室下部随基座高速旋转，基座内外热场加热晶片至反应温度且成膜过程中稳定供给原料气体。

热场加热时的晶片表面的温度均匀性与成膜质量密切相关。由于气体与晶片接触反应后，尾气流动沿基板向外侧流动等因素影响，晶片内外圈散热存在差别，严重影响了晶片成膜膜厚的均一性。

因此，如何改善温度均匀性，成为了提高成膜厚度均一性的关键。

发明内容

为解决以上技术问题，本发明提供一种成膜装置晶片加热热场，以提高热场中的温度均匀性，从而提高成膜厚度均一性。

为实现上述目的，本发明提供了如下方案：

本发明提供一种成膜装置晶片加热热场，包括进气室、反应室和基座；所述进气室底部设置有所述反应室，且所述进气室与所述反应室相连通；所述基座位于所述反应室内下部，且所述基座位于所述进气室正下方；所述基座顶部用于承托晶片；所述基座内设置有基座热场，所述基座热场用于对所述晶片加热；所述反应室底部设置有排气口。

可选的，所述反应室上部设置有套筒，所述套筒与所述反应室的侧壁之间设置有气体预热热场。

可选的，所述基座热场包括外圈发热体和中心发热体；所述外圈发热体与所述中心发热体同高度设置，所述外圈发热体设置于所述中心发热体周围。

可选的，所述外圈发热体和所述中心发热体下方设置有保温组件。

可选的，所述基座热场通过石墨电极与一石英圆盘相连接，所述石英圆盘位于所述基座内底部，所述石墨圆盘底部与一石英立柱相连接。

可选的，所述外圈发热体和所述中心发热体上方设置有基板，所述基板用于装载所述晶片。

可选的，所述基板顶面设置有支撑件，所述支撑件为环形结构，所述支撑件的顶面向内侧横向延伸设置形成承托部，所述晶片与所述承托部的顶面相接触。

可选的，所述基板顶面设置有调整件，所述承托部底面和所述基板顶面之间的间距与所述调整件顶面和所述晶片底面的间距相同。

可选的，所述基座底部与一旋转轴相连接，所述旋转轴用于驱动所述基座转动。

可选的，所述进气室顶部设置有辐射温度计。

本发明相对于现有技术取得了以下技术效果：

本发明中的成膜装置晶片加热热场，热场置于基座内部可以确保晶片的升温效率，避免外周部气体流动的影响。基座内部热场发热面正对晶片背面，由多个发热体共同组成，尽可能增大发热面且面内各处保持相同的发热量。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。