[发明专利]一种成膜装置晶片加热热场在审
申请号: | 202211545297.0 | 申请日: | 2022-12-05 |
公开(公告)号: | CN116024654A | 公开(公告)日: | 2023-04-28 |
发明(设计)人: | 刘鹏;徐文立;沈磊 | 申请(专利权)人: | 宁波恒普真空科技股份有限公司 |
主分类号: | C30B25/10 | 分类号: | C30B25/10;C30B25/16 |
代理公司: | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人: | 郑粟文 |
地址: | 315300 浙江省宁波市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 装置 晶片 热热 | ||
1.一种成膜装置晶片加热热场,其特征在于,包括进气室、反应室和基座;所述进气室底部设置有所述反应室,且所述进气室与所述反应室相连通;所述基座位于所述反应室内下部,且所述基座位于所述进气室正下方;所述基座顶部用于承托晶片;所述基座内设置有基座热场,所述基座热场用于对所述晶片加热;所述反应室底部设置有排气口。
2.根据权利要求1所述的成膜装置晶片加热热场,其特征在于,所述反应室上部设置有套筒,所述套筒与所述反应室的侧壁之间设置有气体预热热场。
3.根据权利要求1所述的成膜装置晶片加热热场,其特征在于,所述基座热场包括外圈发热体和中心发热体;所述外圈发热体与所述中心发热体同高度设置,所述外圈发热体设置于所述中心发热体周围。
4.根据权利要求3所述的成膜装置晶片加热热场,其特征在于,所述外圈发热体和所述中心发热体下方设置有保温组件。
5.根据权利要求3所述的成膜装置晶片加热热场,其特征在于,所述基座热场通过石墨电极与一石英圆盘相连接,所述石英圆盘位于所述基座内底部,所述石墨圆盘底部与一石英立柱相连接。
6.根据权利要求3所述的成膜装置晶片加热热场,其特征在于,所述外圈发热体和所述中心发热体上方设置有基板,所述基板用于装载所述晶片。
7.根据权利要求6所述的成膜装置晶片加热热场,其特征在于,所述基板顶面设置有支撑件,所述支撑件为环形结构,所述支撑件的顶面向内侧横向延伸设置形成承托部,所述晶片与所述承托部的顶面相接触。
8.根据权利要求7所述的成膜装置晶片加热热场,其特征在于,所述基板顶面设置有调整件,所述承托部底面和所述基板顶面之间的间距与所述调整件顶面和所述晶片底面的间距相同。
9.根据权利要求1所述的成膜装置晶片加热热场,其特征在于,所述基座底部与一旋转轴相连接,所述旋转轴用于驱动所述基座转动。
10.根据权利要求1所述的成膜装置晶片加热热场,其特征在于,所述进气室顶部设置有辐射温度计。
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