[发明专利]一种精细掩膜版

说明书

本公开提供一种精细掩膜版，该精细掩膜版包括本体，本体上设有掩模图形；本体包括：硅基衬底；位于硅基衬底之上的无机膜层，无机膜层具有压应力；及位于硅基衬底之上的应力调整层，应力调整层具有张应力，张应力与压应力的应力性质相反且相互抵消。本发明实施例提供的精细掩膜版能够减少精细掩膜版的翘曲下垂等不平整现象。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种精细掩膜版。

背景技术

基于有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)技术的硅基OLED微显示器(OLED on Silicon，OLEDoS)具有广色域、高对比度、超轻薄、能耗低、柔性等优点，能够为便携式设备、游戏平台及可穿戴设备等产品提供高画质的视频显示，特别适合应用于头盔显示器、立体显示镜以及眼睛式显示器等，在民用、工业、军事等领域具有广阔的应用空间。

发明内容

本发明实施例提供了一种精细掩膜版，能够减少精细掩膜版的翘曲下垂等不平整现象。

本发明实施例所提供的技术方案如下：

本发明实施例提供了一种精细掩膜版，包括本体，所述本体上设有掩模图形；所述本体包括：

硅基衬底；

位于所述硅基衬底之上的无机膜层，所述无机膜层具有压应力；及

位于所述硅基衬底之上的应力调整层，所述应力调整层具有张应力，所述张应力与所述压应力的应力性质相反且相互抵消。

示例性的，所述本体包括第一区域和第二区域，所述无机膜层在所述第一区域的压应力大于在所述第二区域的压应力，所述应力调整层在所述第一区域的张应力大与在所述第二区域的张应力。

示例性的，所述本体包括中间区域和位于所述中间区域外围的外围区域，所述掩模图形设置在所述中间区域，且所述外围区域包括中部位置、及位于所述中部位置和所述外围区域之间的边缘位置，所述第一区域包括所述中部位置，所述第二区域包括所述边缘位置。

示例性的，沿着从所述中部位置指向所述边缘位置的方向，所述无机膜层的压应力逐渐增大，所述应力调整层的张应力逐渐减大。

示例性的，所述应力调整层的张应力与其膜层厚度之间呈正性关系，所述应力调整层在所述第一区域处的膜层厚度大于在所述第二区域处的膜层厚度。

示例性的，所述应力调整层包括氮化硅薄膜、氧化硅薄膜、氮氧化硅薄膜和碳氮化硅薄膜中至少一种。

示例性的，所述应力调整层的张应力与其材料的元素比例呈预定关系，所述应力调整层的材料在所述第一区域与所述第二区域的元素比例不同。

示例性的，所述应力调整层包括碳氮化硅薄膜，所述碳氮化硅薄膜的张应力与碳硅比相关，其中所述碳氮化硅薄膜的碳硅比在预定阈值内，所述碳氮化硅薄膜在所述第一区域与所述第二区域的材料碳硅比不同。

示例性的，所述预定阈值为大于或等于0.45且小于或等于0.6。

示例性的，所述无机膜层包括至少一层氧化硅和/或至少一层氮化硅。

示例性的，所述硅基衬底包括相背的第一侧和第二侧，至少一层所述无机膜层和至少一层应力调整层堆叠至所述第一侧。

示例性的，在所述第一侧，

所述应力调整层堆叠至所述无机膜层的背离所述硅基衬底的一侧；或者

所述应力调整层堆叠至所述无机膜层的靠近所述硅基衬底的一侧；或者

所述无机膜层有多层时，所述应力调整层堆叠至所述无机膜层中任意相邻两层之间。