[发明专利]一种精细掩膜版

权利要求书

1.一种精细掩膜版，包括本体，所述本体上设有掩模图形；其特征在于，所述本体包括：

硅基衬底；

位于所述硅基衬底之上的无机膜层，所述无机膜层具有压应力；及

位于所述硅基衬底之上的应力调整层，所述应力调整层具有张应力，所述张应力与所述压应力的应力性质相反且相互抵消。

2.根据权利要求1所述的精细掩膜版，其特征在于，所述本体包括第一区域和第二区域，所述无机膜层在所述第一区域的压应力大于在所述第二区域的压应力，所述应力调整层在所述第一区域的张应力大与在所述第二区域的张应力。

3.根据权利要求2所述的精细掩膜版，其特征在于，所述本体包括中间区域和位于所述中间区域外围的外围区域，所述掩模图形设置在所述中间区域，且所述外围区域包括中部位置、及位于所述中部位置和所述外围区域之间的边缘位置，所述第一区域包括所述中部位置，所述第二区域包括所述边缘位置。

4.根据权利要求3所述的精细掩膜版，其特征在于，沿着从所述中部位置指向所述边缘位置的方向，所述无机膜层的压应力逐渐增大，所述应力调整层的张应力逐渐减大。

5.根据权利要求2所述的精细掩膜版，其特征在于，所述应力调整层的张应力与其膜层厚度之间呈正性关系，所述应力调整层在所述第一区域处的膜层厚度大于在所述第二区域处的膜层厚度。

6.根据权利要求5所述的精细掩膜版，其特征在于，所述应力调整层包括氮化硅薄膜、氧化硅薄膜、氮氧化硅薄膜和碳氮化硅薄膜中至少一种。

7.根据权利要求2所述的精细掩膜版，其特征在于，所述应力调整层的张应力与其材料的元素比例呈预定关系，所述应力调整层的材料在所述第一区域与所述第二区域的元素比例不同。

8.根据权利要求7所述的精细掩膜版，其特征在于，所述应力调整层包括碳氮化硅薄膜，所述碳氮化硅薄膜的张应力与碳硅比相关，其中所述碳氮化硅薄膜的碳硅比在预定阈值内，所述碳氮化硅薄膜在所述第一区域与所述第二区域的材料碳硅比不同。

9.根据权利要求8所述的精细掩膜版，其特征在于，所述预定阈值为大于或等于0.45且小于或等于0.6。

10.根据权利要求1所述的精细掩膜版，其特征在于，所述无机膜层包括至少一层氧化硅和/或至少一层氮化硅。

11.根据权利要求1所述的精细掩膜版，其特征在于，所述硅基衬底包括相背的第一侧和第二侧，至少一层所述无机膜层和至少一层应力调整层堆叠至所述第一侧。

12.根据权利要求11所述的精细掩膜版，其特征在于，在所述第一侧，

所述应力调整层堆叠至所述无机膜层的背离所述硅基衬底的一侧；或者

所述应力调整层堆叠至所述无机膜层的靠近所述硅基衬底的一侧；或者

所述无机膜层有多层时，所述应力调整层堆叠至所述无机膜层中任意相邻两层之间。

13.根据权利要求11所述的精细掩膜版，其特征在于，所述硅基衬底的所述第二侧还堆叠有至少一层所述无机膜层。

14.根据权利要求11所述的精细掩膜版，其特征在于，所述硅基衬底包括从所述第二侧至所述第一侧依次层叠设置的第一硅层、至少一层无机层和第二硅层，所述第一硅层的膜层厚度大于所述第二硅层的膜层厚度。

15.根据权利要求14所述的精细掩膜版，其特征在于，

所述本体包括中间区域和位于所述中间区域外围的外围区域；

所述第一硅层及堆叠至所述第二侧的所述无机膜层在对应所述中间区域的位置设开口图案；

所述无机层、所述第二硅层及堆叠至所述第一侧的所述无机膜层和所述应力调整层在对应所述中间区域的位置设有所述掩模图形。