[发明专利]静电放电保护电路和芯片在审
| 申请号: | 202211514171.7 | 申请日: | 2022-11-30 |
| 公开(公告)号: | CN115912303A | 公开(公告)日: | 2023-04-04 |
| 发明(设计)人: | 陈光 | 申请(专利权)人: | 上海美仁半导体有限公司 |
| 主分类号: | H02H9/04 | 分类号: | H02H9/04 |
| 代理公司: | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人: | 王丹玉;汪海屏 |
| 地址: | 201615 上海市松江区九*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 静电 放电 保护 电路 芯片 | ||
本发明提供了一种静电放电保护电路和芯片,静电放电保护电路,包括:静电泄放电路,包括第一开关管和第二开关管,第一开关管的第一端用于与第一供电导线连接,第一供电导线耦合有波动电压干扰,第一开关管的第二端与第二开关管的第一端连接,第二开关管的第二端用于与第二供电导线连接;关断控制电路,与第一供电导线、第三供电导线以及第一开关管的控制端连接,用于根据第一供电导线上的第一电压值与第三供电导线上的第二电压值的电压比较结果以及接收到的控制信号,控制第一开关管的导通状态;监测电路,与第一供电导线和第二开关管的控制端连接,用于根据波动电压干扰控制第二开关管的导通状态。
技术领域
本发明涉及电路技术领域,具体而言,涉及一种静电放电保护电路和芯片。
背景技术
随着半导体制造业工艺的快速发展,超薄栅氧化层和薄电介质的器件增多,静电放电(Electro-Static Discharge,ESD)逐渐成为芯片故障的主要因素,随着器件尺寸不断减小,芯片因静电放电而出现故障的几率越来越高。
为了消除静电放电所带来的危害,提出了静电放电保护电路,其中,静电放电保护电路主要是用于承受外来几百或者上千伏特的静电冲击,以实现超薄栅氧化层和薄电介质的器件的保护。
而静电放电保护电路是消耗大量硅面积的集成电路,其寄生参数与集成电路的工艺密切相关,极易出现芯片设计中的漏洞,如出现漏电,影响芯片的可靠性。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术或相关技术中存在的技术问题之一。
为此,本发明的第一方面在于,提供了一种静电放电保护电路。
本发明的第二方面在于,提供了一种芯片。
有鉴于此,本发明的第一方面,提供了一种静电放电保护电路,包括:静电泄放电路,包括第一开关管和第二开关管,第一开关管的第一端用于与第一供电导线连接,第一供电导线耦合有波动电压干扰,第一开关管的第二端与第二开关管的第一端连接,第二开关管的第二端用于与第二供电导线连接;关断控制电路,与第一供电导线、第三供电导线以及第一开关管的控制端连接,用于根据第一供电导线上的第一电压值与第三供电导线上的第二电压值的电压比较结果以及接收到的控制信号,控制第一开关管的导通状态;监测电路,与第一供电导线和第二开关管的控制端连接,用于根据波动电压干扰控制第二开关管的导通状态。
在该技术方案中,提出了一种静电放电保护电路,该静电放电保护电路包括静电泄放电路、关断控制电路和监测电路。其中,关断控制电路和监测电路能够分别控制静电泄放电路中的一个开关管的导通状态。
其中,第一开关管和第二开关管采用串联的方式连接,也即需要第一开关管和第二开关管同时处于导通状态,才能实现静电的泄放。显然第一开关管可以作为第二开关管的开关,故在第二开关管的误导通的情况下,利用第一开关管的截止状态使得无法实现静电的泄放,降低了第二开关管因误导通引发的瞬态漏电增大,拉低第一供电导线上电源的电位这一情况的出现,从而提高了静电放电保护电路的可靠性。
同理,第二开关管可以作为第一开关管的开关,以便避免第一开关管误导通的情况下,引发第一开关管的瞬态漏电增大,拉低第一供电导线上电源的电位这一情况的出现,从而提高了静电放电保护电路的可靠性。
在上述技术方案中,可以理解的是,第一开关管和第二开关管可以互为开关、彼此制约,以便确保静电放电保护电路的稳定运行,降低了瞬态漏电增大的几率。
在上述技术方案中,监测电路是利用波动电压干扰来控制第二开关管的导通和截止,而关断控制电路利用第一电压值和第二电压值的电压比较结果以及接收到的控制信号来控制第一开关管是否导通,其与监测电路控制第二开关管导通与否的原理完全不同,因此,第一开关管的导通与否不受波动电压干扰的影响,极大地降低了高温条件和高频干扰下的出现漏电的几率。
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