[发明专利]静电放电保护电路和芯片在审
| 申请号: | 202211514171.7 | 申请日: | 2022-11-30 |
| 公开(公告)号: | CN115912303A | 公开(公告)日: | 2023-04-04 |
| 发明(设计)人: | 陈光 | 申请(专利权)人: | 上海美仁半导体有限公司 |
| 主分类号: | H02H9/04 | 分类号: | H02H9/04 |
| 代理公司: | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人: | 王丹玉;汪海屏 |
| 地址: | 201615 上海市松江区九*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 静电 放电 保护 电路 芯片 | ||
1.一种静电放电保护电路,其特征在于,包括:
静电泄放电路,包括第一开关管和第二开关管,所述第一开关管的第一端用于与第一供电导线连接,所述第一供电导线耦合有波动电压干扰,所述第一开关管的第二端与所述第二开关管的第一端连接,所述第二开关管的第二端用于与第二供电导线连接;
关断控制电路,与所述第一供电导线、第三供电导线以及所述第一开关管的控制端连接,用于根据所述第一供电导线上的第一电压值与所述第三供电导线上的第二电压值的电压比较结果以及接收到的控制信号,控制所述第一开关管的导通状态;
监测电路,与所述第一供电导线和所述第二开关管的控制端连接,用于根据所述波动电压干扰控制所述第二开关管的导通状态。
2.根据权利要求1所述的静电放电保护电路,其特征在于,所述监测电路根据所述波动电压干扰,确定所述波动电压干扰的频率;
在所述波动电压干扰的频率小于或等于预设静电干扰频率的情况下,控制所述第二开关管导通;
在所述波动电压干扰的频率大于预设静电干扰频率的情况下,控制所述第二开关管截止。
3.根据权利要求2所述的静电放电保护电路,其特征在于,所述监测电路包括:
第三开关管,所述第三开关管的第一端与所述第一供电导线连接;
第四开关管,所述第四开关管的第一端与所述第三开关管的第二端以及所述第二开关管的控制端连接,所述第四开关管的第二端接地;
第一电阻,所述第一电阻的第一端与所述第一供电导线连接;
电容监测件,所述电容监测件的第一端与所述第一电阻的第二端、所述第三开关管的控制端、所述第四开关管的控制端连接,所述电容监测件的第二端接地。
4.根据权利要求3所述的静电放电保护电路,其特征在于,所述电容监测件包括:
电容或第五开关管;
其中,在所述电容监测件包括第五开关管的情况下,所述第五开关管的第一端和第二端接地,所述第五开关管的控制端与所述第一电阻的第二端连接。
5.根据权利要求3所述的静电放电保护电路,其特征在于,所述监测电路还包括:
第二电阻,所述第二电阻的第一端与所述第四开关管的第一端连接,所述第二电阻的第二端接地。
6.根据权利要求3所述的静电放电保护电路,其特征在于,所述第三开关管为PMOS,所述第四开关管为NMOS。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的静电放电保护电路,其特征在于,所述关断控制电路,具体用于:
在所述控制信号为第一信号、所述比较结果为所述第二电压值大于所述第一电压值的情况下,控制所述第一开关管截止;
在所述控制信号为第二信号、所述比较结果为所述第二电压值大于所述第一电压值的情况下,控制所述第一开关管处于线性导通状态;
在所述控制信号为第二信号,所述比较结果为所述第二电压值小于所述第一电压值的情况下,控制所述第一开关管处于饱和导通状态。
8.根据权利要求7所述的静电放电保护电路,其特征在于,所述关断控制电路包括:
第六开关管,所述第六开关管的第一端与所述第一开关管的控制端连接;
第七开关管,所述第七开关管的第一端与所述第六开关管的第二端连接;
第八开关管,所述第八开关管的第一端与所述第六开关管的第一端连接;
第九开关管,所述第九开关管的第一端与所述第八开关管的第二端连接;
第十开关管,所述第十开关管的第一端与所述第七开关管的第二端连接;
第十一开关管,所述第十一开关管的第一端与所述第十开关管的第二端、所述第九开关管的第二端连接,所述第十一开关管的第二端接地;
第十二开关管,所述第十二开关管的第一端与所述第十开关管的控制端连接,所述第十二开关管的第二端接地;
其中,所述第三供电导线与所述第六开关管的控制端、所述第七开关管的控制端和所述第八开关管的控制端连接,所述第十二开关管的控制端和所述第十一开关管的控制端用于接收所述控制信号。
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