[发明专利]一种异形散热结构和多芯片封装结构

权利要求书

1.一种异形散热结构，其特征在于，包括：

封装盖板，其具有转接板凹槽和多个芯片凹槽，且被配置为封装芯片和转接板；

多个微流道结构，其设置在所述封装盖板中，且被配置为对芯片进行散热；

进液口，其与所述微流道结构连通；

出液口，其与所述微流道结构连通；以及

导热界面材料，其覆盖所述芯片凹槽的底部和侧壁以及所述转接板凹槽的底部。

2.根据权利要求1所述的异形散热结构，其特征在于，所述进液口位于所述封装盖板的顶部；

所述出液口位于所述封装盖板的顶部，并与所述进液口的位置相对。

3.根据权利要求1所述的异形散热结构，其特征在于，所述微流道结构的微流道的宽度和分布密度根据需要散热的芯片的功耗确定，其中芯片的功耗越大，微流道的宽度越小，微流道的分布密度越密集；以及

所述微流道结构的数量根据需要散热的芯片和/或芯片堆叠结构的数量确定。

4.根据权利要求1所述的异形散热结构，其特征在于，所述微流道结构位于所述封装盖板的第一面，所述芯片凹槽和转接板凹槽位于所述封装盖板的第二面，其中第一面与第二面相对；

所述微流道结构位于所述芯片凹槽的上方和/或四周。

5.根据权利要求1所述的异形散热结构，其特征在于，所述微流道结构包括第一微流道结构、第二微流道结构和第三微流道结构，其中根据微流道的宽度排序为：第一微流道结构＞第二微流道结构＞第三微流道结构，根据微流道的分布密度排序为：第一微流道结构＜第二微流道结构＜第三微流道结构。

6.根据权利要求5所述的异形散热结构，其特征在于，所述第三微流道结构位于所述芯片凹槽的上方和四周；以及

所述第一微流道结构和第二微流道结构均位于所述芯片凹槽的上方。

7.一种多芯片封装结构，其特征在于，包括：

基板；

转接板，其设置在所述基板之上；

第一芯片，其设置在所述转接板之上；

第二芯片，其设置在所述转接板之上；

第三芯片结构，其设置在所述转接板之上；

权利要求1至6任意一项所述的异形散热结构，其封装所述第一芯片、所述第二芯片、所述第三芯片结构和所述转接板，并与所述基板连接。

8.根据权利要求7所述的多芯片封装结构，其特征在于，所述第一芯片、所述第二芯片和所述第三芯片结构位于所述芯片凹槽中，其中多个所述芯片凹槽的形状和尺寸分别与所述第一芯片、所述第二芯片及所述第三芯片结构的形状和尺寸互补；和/或

所述转接板位于所述转接板凹槽中。

9.根据权利要求7所述的多芯片封装结构，其特征在于，所述第三芯片结构的厚度大于所述第二芯片的厚度，所述第二芯片的厚度大于所述第一芯片的厚度；以及

所述第三芯片结构的功耗大于所述第二芯片的功耗，所述第二芯片的功耗大于所述第一芯片的功耗。

10.根据权利要求9所述的多芯片封装结构，其特征在于，所述第三微流道结构位于所述第三芯片结构的上方和四周；

所述第一微流道结构位于所述第一芯片的上方；

所述第二微流道结构位于所述第二芯片的上方；以及

所述导热界面材料与所述第一芯片、所述第二芯片和所述第三芯片结构的多个面接触。