[发明专利]封装件的制作方法和封装件在审
| 申请号： | 202211486553.3 | 申请日： | 2022-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN115719715A | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 包璐胜;尹保冠;严方洁 | 申请（专利权）人： | 歌尔微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/488;H01L23/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 高莎 |
| 地址： | 266101 山东省青岛市崂*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 封装 制作方法 | ||
1.一种封装件的制作方法，其特征在于，包括：
在基板的一侧安装开设有贯通孔的预植球工装，并使所述贯通孔朝向所述基板；
将第一锡球植入至所述贯通孔内，并对所述第一锡球进行回流以形成锡柱；
将所述预植球工装从所述锡柱上脱离；
对所述基板设有所述锡柱的一侧进行塑封以形成塑封体，并使得所述锡柱的高度不低于所述塑封体的高度；
将第二锡球植入至所述锡柱背离所述基板的一侧。
2.如权利要求1所述的封装件的制作方法，其特征在于，所述将所述预植球工装从所述锡柱上脱离时为：沿锡柱的高度方向并朝远离基板的方向脱离。
3.如权利要求2所述的封装件的制作方法，其特征在于，所述贯通孔的孔径在由靠近所述基板的一端至远离所述基板的一端的方向上逐渐减小。
4.如权利要求1所述的封装件的制作方法，其特征在于，所述将所述预植球工装从所述锡柱上脱离的步骤之后还包括：对所述锡柱进行冲洗。
5.如权利要求4所述的封装件的制作方法，其特征在于，所述对所述锡柱进行冲洗的步骤之后，还包括：将注塑模具抵持所述锡柱背离所述基板的一侧，以对所述基板进行塑封时，塑封体被限制在限位板与基板之间流动。
6.如权利要求1所述的封装件的制作方法，其特征在于，所述在基板的一侧设置开设有贯通孔的预植球工装，并使所述贯通孔朝向所述基板的步骤之前，还包括：对所述预植球工装的贯通孔的内壁润湿。
7.如权利要求1所述的封装件的制作方法，其特征在于，所述将第一锡球植入所述贯通孔内，并进行回流的步骤之前，还包括：遮盖所述预植球工装以外的区域。
8.如权利要求1至7中任意一项所述的封装件的制作方法，其特征在于，所述对所述基板设有所述预植球工装的一侧进行塑封以形成塑封体，并使得所述锡柱的高度不低于所述塑封体的高度的步骤之后，还包括：根据所述锡柱的位置在所述塑封体上开孔，并使所述开孔的内壁环绕所述锡柱。
9.一种基于如权利要求1至8中任意一项所述的封装件的制作方法制作的封装件，其特征在于，所述封装件包括：
基板；
锡柱，所述锡柱设于所述基板的一侧；以及
塑封体，塑封体封装所述基板设有所述锡柱的一侧，所述塑封体包裹所述锡柱的侧壁，所述锡柱背离所述基板的一侧与所述塑封体平齐或者显露于所述塑封体外。
10.如权利要求9所述的封装件，其特征在于，在由靠近所述基板的一侧至远离所述基板的一侧的方向上，所述锡柱的径向尺寸逐渐减小。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
