[发明专利]一种半导体集成电路封装用耐高温热塑型热熔胶带及其制备方法

说明书

本发明公开了一种半导体集成电路封装用耐高温热塑型热熔胶带及其制备方法，所述热塑型热熔胶带由下至上依次包括：聚酰亚胺基膜、底涂层、胶层；形成所述胶层的胶液包括以下原料：聚砜类材料、偶联剂、抗氧剂、溶剂；该半导体集成电路封装用耐高温热塑型热熔胶带在常温下无粘性，生产流通过程中及解卷过程中不易粘附灰尘，符合半导体无尘化的苛刻要求；其所使用的胶层材料的耐高温性好，且属于热塑型，无需添加交联剂，高温移除后，表面无小分子析出，对后续再加工无影响。

技术领域

本发明属于热熔胶带技术领域，具体涉及一种半导体集成电路封装用耐高温热塑型热熔胶带及其制备方法。

背景技术

半导体封装指的是晶圆经过测试合格以后，以产品功能和具体的型号为基础，对独立芯片进行加工的整个过程，半导体封装工艺技术的不断创新，极大的推动了半导体设计领域的发展，封装(Package)对芯片来说是必须也是至关重要的。封装也可以说是安装半导体集成电路芯片用的外壳，它不仅可以保护芯片、增强导热性能，还有沟通芯片内部世界与外部电路的桥梁和规格通用的功能。

封装中会使用到一种耐高温聚酰亚胺胶带，该胶带与引线框架结合后，可有效防止塑封过程中的溢料现象。目前耐高温聚酰亚胺胶带中胶层的主要成分为有机硅压敏胶，有机硅压敏胶虽然具有优越的耐高温特性，与引线框架的结合力强，高温过程中经时剥离力稳定，移除后不残留粘合剂的优点，但是有机硅压敏胶因常温具有压敏性和粘性，产品流转过程中及离型膜解卷时会吸附一定的灰尘，无法满足半导体行业要求极高的无尘环境；另一方面，有机硅压敏胶因含有硅油类交联剂，高温移除后虽无残胶，但芯片表面存在小分子析出现象，造成引线框架的表面达因值发生变化，影响后续工序生产。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供了一种半导体集成电路封装用耐高温热塑型热熔胶带及其制备方法，该半导体集成电路封装用耐高温热塑型热熔胶带在常温下无粘性，生产流通过程中及解卷过程中不易粘附灰尘，符合半导体无尘化的苛刻要求；其所使用的胶层材料的耐高温性好，且属于热塑型，无需添加交联剂，高温移除后，表面无小分子析出，对后续再加工无影响。

为实现上述目的，本发明采取的技术方案如下：

一种半导体集成电路封装用耐高温热塑型热熔胶带，所述半导体集成电路封装用耐高温热塑型热熔胶带由下至上依次包括：聚酰亚胺基膜、底涂层、胶层；形成所述胶层的胶液包括以下原料：聚砜类材料、偶联剂、抗氧剂、溶剂。

形成所述胶层的胶液包括以下重量份的原料：Tg点在170℃-250℃聚砜类材料100份、偶联剂5～15份、抗氧剂3～10份、溶剂250～350份。

所述聚砜类材料为端羟基封端的聚砜类材料，此类树脂的端羟基活性较高，相对于其他聚砜类材料，羟基封端类材料极性较强，可以与高极性的聚酰亚胺薄膜形成良好的亲和力。

所述聚砜类材料的结构式为：所述聚砜类材料的分子量优选在50万在200万之间。分子量小于50万的聚砜类材料的耐温性较差，分子量大于200万的聚砜类材料的溶解性较差，不利于溶解涂布。

所述偶联剂为环氧硅烷偶联剂。

所述抗氧剂为受阻酚类抗氧剂、亚磷酸酯类抗氧剂中的至少一种；所述溶剂为N’N-二甲基甲酰胺、N’N-二甲基乙酰胺、N-甲基-2-吡咯烷酮、二甲基亚砜、环己酮、丁酮中的任意一种或多种。

形成所述底涂层的材料为3M94底涂剂、3MK520底涂剂、环氧类底涂剂、聚乙烯亚胺底涂剂中的至少一种。

所述半导体集成电路封装用耐高温热塑型热熔胶带的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：

(1)将聚酰亚胺基膜进行电晕处理，将底涂剂涂布在聚酰亚胺基膜的电晕面上，进行固化干燥，得到具有底涂层的聚酰亚胺基膜；

(2)将胶液涂布在具有底涂层的聚酰亚胺基膜的底涂层上，经固化干燥后收卷。