[发明专利]一种半导体集成电路封装用耐高温热塑型热熔胶带及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体集成电路封装用耐高温热塑型热熔胶带，其特征在于，所述半导体集成电路封装用耐高温热塑型热熔胶带由下至上依次包括：聚酰亚胺基膜、底涂层、胶层；形成所述胶层的胶液包括以下原料：聚砜类材料、偶联剂、抗氧剂、溶剂。

2.根据权利要求1所述的半导体集成电路封装用耐高温热塑型热熔胶带，其特征在于，形成所述胶层的胶液包括以下重量份的原料：聚砜类材料100份、偶联剂5～15份、抗氧剂3～10份、溶剂250～350份。

3.根据权利要求1所述的半导体集成电路封装用耐高温热塑型热熔胶带，其特征在于，所述聚砜类材料为端羟基封端的聚砜类材料。

4.根据权利要求1所述的半导体集成电路封装用耐高温热塑型热熔胶带，其特征在于，所述聚砜类材料的结构式为：

所述聚砜类材料的分子量为50万～200万。

5.根据权利要求1所述的半导体集成电路封装用耐高温热塑型热熔胶带，其特征在于，所述偶联剂为环氧硅烷偶联剂。

6.根据权利要求1所述的半导体集成电路封装用耐高温热塑型热熔胶带，其特征在于，所述抗氧剂为受阻酚类抗氧剂、亚磷酸酯类抗氧剂中的至少一种；所述溶剂为N’N-二甲基甲酰胺、N’N-二甲基乙酰胺、N-甲基-2-吡咯烷酮、二甲基亚砜、环己酮、丁酮中的任意一种或多种。

7.根据权利要求1所述的半导体集成电路封装用耐高温热塑型热熔胶带，其特征在于，形成所述底涂层的材料为3M94底涂剂、3MK520底涂剂、环氧类底涂剂、聚乙烯亚胺底涂剂中的至少一种。

8.如权利要求1-7任意一项所述的半导体集成电路封装用耐高温热塑型热熔胶带的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

(1)将聚酰亚胺基膜进行电晕处理，将底涂剂涂布在聚酰亚胺基膜的电晕面上，进行固化干燥，得到具有底涂层的聚酰亚胺基膜；

(2)将胶液涂布在具有底涂层的聚酰亚胺基膜的底涂层上，经固化干燥后收卷。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，电晕处理后，聚酰亚胺基膜的电晕面的电晕值＞54。

10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，固化干燥所使用的烘箱由前至后各烘道温度分别为70℃、90℃、110℃、130℃、140℃、145℃、110℃、90℃。