[发明专利]一种用于实现Taiko工艺的磁控溅射设备

说明书

本发明公开了一种用于实现Taiko工艺的磁控溅射设备，涉及晶圆加工技术领域。磁控溅射设备包括：真空腔体，用于进行Taiko工艺；基座，设置在真空腔体内，在进行Taiko工艺时基座的顶部与待处理晶圆的正面相对；支撑件，设置在基座与待处理晶圆的正面之间，支撑件具有预设高度；气体供应系统，包括气路和惰性气体源，气路的进口与惰性气体源连通，气路的出口与所待处理晶圆的正面连通，在进行Taiko工艺时惰性气体源受控地释放具有预设压力的惰性气体，惰性气体形成的气流作用于晶圆的正面而与晶圆的背面形成压力差，以使待处理晶圆的形变量与预设高度适配。通过本发明可以避免晶圆的正面与基座接触，既能够减少设备成本又能够提高产品的良率。

技术领域

本发明涉及晶圆加工技术领域，特别是涉及一种用于实现Taiko工艺的磁控溅射设备。

背景技术

基于物理气相沉积技术的磁控溅射设备，在晶圆制造过程中，需要在晶圆背面溅射AL、TI、Ni、Ag等金属，为了降低器件热阻、提高工作散热、冷却能力以及便于封装，需要进行晶圆背面的减薄，通常减薄至50μm～100μm。目前常用的减薄工艺是太鼓(Taiko)工艺，在对晶片进行研削时，Taiko工艺将保留晶片外围的边缘部分(约3mm左右)，只对圆内进行研削薄型化，通过在晶片外围留边，形成Taiko环，减少晶片翘曲，提高晶片强度。在Taiko工艺过程中，晶圆的正面与基座相对，背面朝上，在正面与基座之间一般会设置顶针，使晶圆与基座之间具有一定的距离，以避免正面与基座接触而导致晶圆报废，而为了保证晶圆与基座之间的热交换，要求该距离越小越好。但在进行Taiko工艺时仍然会不可避免地造成晶圆减薄区域发生一些形变，在一些情况下，晶圆的形变量常常会超过晶圆与基座之间的距离，这会导致晶圆的正面与基座接触，从而使得晶圆报废。

发明内容

为解决上述技术问题，本申请提供一种用于实现Taiko工艺的磁控溅射设备。

本发明提供了如下方案：

一种用于实现Taiko工艺的磁控溅射设备，包括：

真空腔体，用于进行Taiko工艺；

基座，设置在所述真空腔体内，在进行所述Taiko工艺时所述基座的顶部与待处理晶圆的正面相对，且所述基座的顶部与所述待处理晶圆的正面之间具有密封腔体；

支撑件，设置在所述基座与所述待处理晶圆的正面之间，所述支撑件具有预设高度；

气体供应系统，包括气路和惰性气体源，所述气路的进口与所述惰性气体源连通，所述气路的出口与所述待处理晶圆的正面连通，在进行所述Taiko工艺时所述惰性气体源受控地释放具有预设压力的惰性气体，所述惰性气体形成的气流作用于所述待处理晶圆的正面而与所述待处理晶圆的背面形成压力差，以使所述待处理晶圆的形变量与所述预设高度适配。

可选地，所述预设压力为200mt～10000mt之间的任意一值，所述真空腔体的真空度为小于10mt的任意一值。

可选地，所述惰性气体包括氩气。

可选地，所述基座上开设有贯通孔，所述贯通孔与所述气路的出口连通。

可选地，所述贯通孔的数量为一个或多个，且所有所述贯通孔均设置在所述基座对应于所述待处理晶圆的中间的位置上。

可选地，所述支撑件为环状，且所述支撑件环设在所述贯通孔的外侧，所述支撑件、所述待处理晶圆的正面以及所述基座的顶部之间形成所述密封腔体。

可选地，环状的所述支撑件对应的设置在所述待处理晶圆的边缘。

可选地，所述支撑件包括多个高度相同的凸起，多个所述凸起间隔地均布在所述基座上。

可选地，所述预设高度为大于零且小于或等于6mm之间的任意一值。

可选地，所述支撑件固定在所述基座上。