[发明专利]一种用于实现Taiko工艺的磁控溅射设备

权利要求书

1.一种用于实现Taiko工艺的磁控溅射设备，其特征在于，包括：

真空腔体，用于进行Taiko工艺；

基座，设置在所述真空腔体内，在进行所述Taiko工艺时所述基座的顶部与待处理晶圆的正面相对，且所述基座的顶部与所述待处理晶圆的正面之间具有密封腔体；

支撑件，设置在所述基座与所述待处理晶圆的正面之间，所述支撑件具有预设高度；

气体供应系统，包括气路和惰性气体源，所述气路的进口与所述惰性气体源连通，所述气路的出口与所述待处理晶圆的正面连通，在进行所述Taiko工艺时所述惰性气体源受控地释放具有预设压力的惰性气体，所述惰性气体形成的气流作用于所述待处理晶圆的正面而与所述待处理晶圆的背面形成压力差，以使所述待处理晶圆的形变量与所述预设高度适配。

2.根据权利要求1所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述预设压力为200mt～10000mt之间的任意一值，所述真空腔体的真空度为小于10mt的任意一值。

3.根据权利要求1所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述惰性气体包括氩气。

4.根据权利要求1所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述基座上开设有贯通孔，所述贯通孔与所述气路的出口连通。

5.根据权利要求4所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述贯通孔的数量为一个或多个，且所有所述贯通孔均设置在所述基座对应于所述待处理晶圆的中间的位置上。

6.根据权利要求4所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述支撑件为环状，且所述支撑件环设在所述贯通孔的外侧，所述支撑件、所述待处理晶圆的正面以及所述基座的顶部之间形成所述密封腔体。

7.根据权利要求6所述的磁控溅射设备，其特征在于，环状的所述支撑件对应的设置在所述待处理晶圆的边缘。

8.根据权利要求1所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述支撑件包括多个高度相同的凸起，多个所述凸起间隔地均布在所述基座上。

9.根据权利要求1所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述预设高度为大于零且小于或等于6mm之间的任意一值。

10.根据权利要求1所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述支撑件固定在所述基座上。