[发明专利]一种双IM层触摸屏传感器制作流程

权利要求书

1.一种双IM层触摸屏传感器制作流程，其特征在于，包括：

在玻璃基板整面制作BM油墨层，所述BM油墨层上涂光刻胶，经过黄光照射后用碱液显影出需要的BM图案；

在所述BM油墨层上制作第一IM层；

通过蒸镀工艺在所述第一IM层上形成整面的第一ITO层，通过涂胶、曝光、显影及酸刻工序形成第一ITO层图案；

在所述第一ITO层上制作整面第一OC胶层，通过涂胶、曝光、显影及酸刻工序形成第一OC胶层需要的图案；

在所述第一OC胶层上通过蒸镀工艺形成整面的第二ITO层，通过涂胶、曝光、显影及酸刻工序形成第二ITO层触控图案；

在所述第二ITO层上通过蒸镀工艺形成整面的金属层，然后通过涂胶、曝光、显影及酸刻工序形成金属层走线图案；

在所述金属层通过丝印工艺丝印耐高温蓝膜，所述耐高温蓝膜只丝印在需要连接FPC区域的绑定位区域；

整面真空镀第二IM层，第二IM层镀膜完成后，撕离所述耐高温蓝膜，露出绑定位；

整面制作第二OC胶层，涂胶后经过黄光照射用碱液显影出需要的图案。

2.根据权利要求1所述的一种双IM层触摸屏传感器制作流程，其特征在于，所述BM油墨层的厚度为1.0-2.5um。

3.根据权利要求1所述的一种双IM层触摸屏传感器制作流程，其特征在于，所述第一IM层为由化合物SI₃N₄和SIO₂交叠形成的一种多层复合膜，所述第一IM层整面制作覆盖于所述玻璃基板。

4.根据权利要求1所述的一种双IM层触摸屏传感器制作流程，其特征在于，所述第一ITO层的电阻为25-100ohm/sq。

5.根据权利要求1所述的一种双IM层触摸屏传感器制作流程，其特征在于，所述第一OC胶层的厚度为1.2～2.5um。

6.根据权利要求1所述的一种双IM层触摸屏传感器制作流程，其特征在于，所述第二ITO层的电阻为25-100ohm/sq。

7.根据权利要求1所述的一种双IM层触摸屏传感器制作流程，其特征在于，所述金属层为MOALMO结构。

8.根据权利要求7所述的一种双IM层触摸屏传感器制作流程，其特征在于，所述金属层的厚度为3000埃，电阻为0.2-0.4ohm/sq。

9.根据权利要求1所述的一种双IM层触摸屏传感器制作流程，其特征在于，所述第二IM层为由化合物SI₃N₄和SIO₂交叠形成的一种多层复合膜，厚度为40nm。

10.根据权利要求1所述的一种双IM层触摸屏传感器制作流程，其特征在于，所述第二OC胶层材质为聚异戍二烯，整面旋涂而成膜层，其厚度为1.2-2.5um。