[发明专利]器件芯片的制造方法在审
| 申请号: | 202211453306.3 | 申请日: | 2022-11-21 |
| 公开(公告)号: | CN116207042A | 公开(公告)日: | 2023-06-02 |
| 发明(设计)人: | 小川雄辉;渡部晃司;桥本一辉;青柳元;小林正和 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
| 主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 乔婉;杨俊波 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 器件 芯片 制造 方法 | ||
本发明提供器件芯片的制造方法,与以往的方法相比,能够抑制树脂层的硬化。该器件芯片的制造方法通过将在由分割预定线划分的正面侧的区域内设置有器件的板状的被加工物利用分割预定线进行分割而制造包含器件的器件芯片,其中,该器件芯片的制造方法包含如下的步骤:树脂层形成步骤,在被加工物的正面侧形成包含未硬化或半硬化的状态的树脂的树脂层;以及被加工物切断步骤,在树脂层形成步骤之后,从在正面侧设置有树脂层的被加工物的背面侧沿着分割预定线将被加工物切断,由此制造器件芯片。
技术领域
本发明涉及器件芯片的制造方法,将在正面侧设置有器件的板状的被加工物进行分割而制造器件芯片。
背景技术
在以移动电话、个人计算机为代表的电子设备中,具有包含电子电路等的器件的器件芯片成为必须的构成要素。关于器件芯片,例如将由硅(Si)等半导体构成的晶片的正面侧利用被称为间隔道的分割预定线划分成多个区域,在各区域内形成器件,然后沿着该分割预定线将晶片分割,由此得到器件芯片。
在将晶片分割成器件芯片时,代表性地使用在主轴上安装有被称为切削刀具的环状的工具的切削装置。使切削刀具高速地旋转,一边提供纯水等液体一边沿着分割预定线从正面侧切入晶片,由此对晶片进行切削加工,分割成多个器件芯片。
有时也通过具有能够生成被晶片吸收的波长的激光束的激光振荡器的激光加工装置,将晶片分割成器件芯片。在该情况下,从晶片的正面侧对分割预定线照射利用激光振荡器生成的激光束,由此对晶片进行烧蚀加工,分割成多个器件芯片。
另外,为了将利用上述那样的方法得到的器件芯片固定于其他器件芯片或基板,有时在各器件芯片的正面侧设置被称为非导电膜(NCF:Non Conductive Film)或芯片贴装膜(DAF:Die Attach Film)等的粘接用的树脂层(例如参照专利文献1)。
在该情况下,例如在将晶片分割成多个器件芯片之前,在晶片的正面侧设置大小能够覆盖晶片的整个正面的树脂层。然后,将树脂层与晶片一起分割,由此得到在正面侧具有粘接用的树脂层的多个器件芯片。
专利文献1:日本特开2016-92188号公报
上述的粘接用的树脂层以未完全硬化的状态(未硬化或半硬化的状态)设置于晶片,以便通过将器件芯片固定于对象时所施加的压力而适当地变形。但是,当利用目前的方法对晶片进行加工而分割成器件芯片时,有时树脂层因该加工时产生的热而硬化,导致无法将器件芯片适当地固定于对象。
发明内容
由此,本发明的目的在于提供器件芯片的制造方法,与以往的方法相比,能够抑制树脂层的硬化。
根据本发明的一个方式,提供器件芯片的制造方法,将在由分割预定线划分的正面侧的区域内设置有器件的板状的被加工物利用该分割预定线进行分割,由此制造包含该器件的器件芯片,其中,该器件芯片的制造方法包含如下的步骤:树脂层形成步骤,在该被加工物的该正面侧形成包含未硬化或半硬化的状态的树脂的树脂层;以及被加工物切断步骤,在该树脂层形成步骤之后,从在该正面侧设置有该树脂层的该被加工物的背面侧沿着该分割预定线将该被加工物切断,由此制造该器件芯片。
优选该器件芯片的制造方法还包含如下的树脂层分割步骤:在该被加工物切断步骤之后,对该树脂层赋予外力,由此按照该器件芯片将该树脂层分割。例如该器件芯片的制造方法还包含如下的带粘贴步骤:在该树脂层形成步骤之后且在该树脂层分割步骤之前,在该被加工物的该正面侧粘贴具有扩展性的带,在该树脂层分割步骤中,将该带扩展由此对该树脂层赋予外力而将该树脂层分割。或者该器件芯片的制造方法还包含如下的带粘贴步骤:在该被加工物切断步骤之后且在该树脂层分割步骤之前,在该被加工物的该背面侧粘贴具有扩展性的带,在该树脂层分割步骤中,将该带扩展由此对该树脂层赋予外力而将该树脂层分割。
另外,优选该器件芯片的制造方法还包含如下的保护膜形成步骤:在该被加工物切断步骤之前,在该被加工物的该背面侧形成保护膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





