[发明专利]器件芯片的制造方法在审
| 申请号: | 202211453306.3 | 申请日: | 2022-11-21 |
| 公开(公告)号: | CN116207042A | 公开(公告)日: | 2023-06-02 |
| 发明(设计)人: | 小川雄辉;渡部晃司;桥本一辉;青柳元;小林正和 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
| 主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 乔婉;杨俊波 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 器件 芯片 制造 方法 | ||
1.一种器件芯片的制造方法,将在由分割预定线划分的正面侧的区域内设置有器件的板状的被加工物利用该分割预定线进行分割,由此制造包含该器件的器件芯片,其中,
该器件芯片的制造方法包含如下的步骤:
树脂层形成步骤,在该被加工物的该正面侧形成包含未硬化或半硬化的状态的树脂的树脂层;以及
被加工物切断步骤,在该树脂层形成步骤之后,从在该正面侧设置有该树脂层的该被加工物的背面侧沿着该分割预定线将该被加工物切断,由此制造该器件芯片。
2.根据权利要求1所述的器件芯片的制造方法,其中,
该器件芯片的制造方法还包含如下的树脂层分割步骤:在该被加工物切断步骤之后,对该树脂层赋予外力,由此按照该器件芯片将该树脂层分割。
3.根据权利要求2所述的器件芯片的制造方法,其中,
该器件芯片的制造方法还包含如下的带粘贴步骤:在该树脂层形成步骤之后且在该树脂层分割步骤之前,在该被加工物的该正面侧粘贴具有扩展性的带,
在该树脂层分割步骤中,将该带扩展由此对该树脂层赋予外力而将该树脂层分割。
4.根据权利要求2所述的器件芯片的制造方法,其中,
该器件芯片的制造方法还包含如下的带粘贴步骤:在该被加工物切断步骤之后且在该树脂层分割步骤之前,在该被加工物的该背面侧粘贴具有扩展性的带,
在该树脂层分割步骤中,将该带扩展由此对该树脂层赋予外力而将该树脂层分割。
5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的器件芯片的制造方法,其中,
该器件芯片的制造方法还包含如下的保护膜形成步骤:在该被加工物切断步骤之前,在该被加工物的该背面侧形成保护膜。
6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的器件芯片的制造方法,其中,
在该被加工物切断步骤中,沿着该分割预定线向该被加工物照射被该被加工物吸收的波长的激光束,由此将该被加工物切断。
7.根据权利要求6所述的器件芯片的制造方法,其中,
该器件芯片的制造方法还包含如下的等离子蚀刻步骤:在该被加工物切断步骤之后,从该被加工物的该背面侧提供等离子状态的蚀刻气体,由此将残留于该器件芯片的加工应变或碎屑去除。
8.根据权利要求1至5中的任意一项所述的器件芯片的制造方法,其中,
该被加工物切断步骤包含如下的步骤:
槽形成步骤,沿着该分割预定线向该被加工物照射被该被加工物吸收的波长的激光束,由此形成在该被加工物的该背面开口的槽;以及
等离子蚀刻步骤,在该槽形成步骤之后,从该被加工物的该背面侧提供等离子状态的蚀刻气体,由此将该被加工物的该正面与该槽的底部之间的部分去除而将该被加工物切断。
9.根据权利要求1至5中的任意一项所述的器件芯片的制造方法,其中,
该器件芯片的制造方法还包含如下的掩模层形成步骤:在该被加工物切断步骤之前,在该被加工物上形成覆盖该被加工物的该背面侧的与该器件对应的区域的掩模层,
在该被加工物切断步骤中,从形成有该掩模层的该被加工物的该背面侧提供等离子状态的蚀刻气体,由此将该被加工物的从该掩模层露出的部分去除而将该被加工物切断。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





