[发明专利]封装器件的制造方法在审
| 申请号: | 202211437770.3 | 申请日: | 2022-11-15 |
| 公开(公告)号: | CN116169034A | 公开(公告)日: | 2023-05-26 |
| 发明(设计)人: | 小日向恭祐 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
| 主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/78;B24B37/20;B24B27/00 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 乔婉;杨俊波 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 封装 器件 制造 方法 | ||
本发明提供封装器件的制造方法,将与器件芯片一起被模制树脂密封的被加工物薄化且平坦化并且抑制碎裂或缺损的产生,并将该被加工物分割。该封装器件的制造方法中,在被加工物的第1区域上配设器件芯片,向比该第1区域高的第2区域和该第1区域提供模制树脂而利用该模制树脂覆盖该器件芯片和该被加工物,对该模制树脂进行加工而将该模制树脂薄化至该被加工物的该第2区域未露出且该器件芯片未露出的厚度,对该模制树脂进行研磨而使该被加工物的该第2区域露出,进一步对配设于该第1区域的该模制树脂和该第2区域进行研磨,在该被加工物的该一个面侧形成包含该模制树脂和该第2区域的平坦面,并将该被加工物分割,制造各个封装器件。
技术领域
本发明涉及封装器件的制造方法,在半导体晶片等被加工物上载置器件芯片并利用模制树脂进行密封,将被加工物按照每个器件芯片进行分割而形成封装器件。
背景技术
近年来,以移动电话、个人计算机为代表的各种电子设备的小型化和薄型化的趋势显著,与此相伴,对于搭载于电子设备而使用的器件芯片,小型化和高集成化的要求持续提高。特别是,作为器件芯片的封装技术,将多个器件芯片载置于基板上并利用密封材料(模制树脂)进行密封并在形成再布线层(RDL:Redistribution Layer)之后进行单片化的技术受到关注。根据该技术,能够实现芯片的薄型化、低成本化、布线的短距离化。
但是,当将载置有器件芯片的基板的整个面利用模制树脂包覆而密封时,由于模制树脂的收缩而在基板整体上产生翘曲,之后的基板的加工的难度提高。因此,为了削减模制树脂的配设量而抑制基板的翘曲,提出了如下的技术:在基板上设置凹部,在该凹部中配置器件芯片,在将基板利用模制树脂包覆之后,对基板进行磨削而将凹部外的模制树脂去除(参照专利文献1)。在该技术中,实施磨削直至基板在凹部外露出为止。
另外,提出了如下的技术:在基板的除搭载器件芯片的区域以外的正面上预先配置其他部件,在该区域配置器件芯片,将基板与该部件和该器件芯片一起用模制树脂密封(参照专利文献2)。在该技术中,载置于基板且与该基板一起被模制树脂密封的该部件被称为间隙填充部件。在该技术中,对载置于该间隙填充部件的模制树脂进行磨削直至间隙填充部件露出为止。
在这些技术中,对配设于基板的模制树脂进行磨削而削减残留于基板的模制树脂的量,由此降低由于模制树脂所引起的基板的翘曲。然后,对通过磨削而薄化且平坦化的基板进一步实施加工,将基板分割而形成各个封装器件。
专利文献1:日本特表2019-512168号公报
专利文献2:日本特开2020-92147号公报
间隙填充部件使用热膨胀率等比模制树脂小的硅等材料。由此,能够防止由于间隙填充部件所引起的基板的翘曲。但是,在对将载置于间隙填充部件的模制树脂去除而露出的该间隙填充部件进行磨削时,容易在该间隙填充部件中产生缺损或碎裂。另外,即使采用在基板上形成凹部而利用模制树脂包覆基板并进行磨削的技术,在对在凹部外将载置于基板的模制树脂去除而露出的基板进行磨削时,也容易在基板上产生缺损或碎裂。
据认为这是因为,在使间隙填充部件或基板露出而进行了磨削时,在该间隙填充部件等中形成破碎层,缺损或碎裂通过由于模制树脂所引起的应力而从破碎层生长。当产生缺损或碎裂时,最终得到的封装器件成为次品。因此,要求确立不在间隙填充部件或基板上产生缺损或碎裂而同时加工间隙填充部件或基板和模制树脂从而将基板薄化的方法。
发明内容
本发明是鉴于该问题而完成的,其目的在于提供封装器件的制造方法,将与器件芯片一起被模制树脂密封的被加工物薄化且平坦化并且抑制碎裂或缺损的产生,并将该被加工物分割。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





