[发明专利]封装器件的制造方法在审
| 申请号: | 202211437770.3 | 申请日: | 2022-11-15 |
| 公开(公告)号: | CN116169034A | 公开(公告)日: | 2023-05-26 |
| 发明(设计)人: | 小日向恭祐 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
| 主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/78;B24B37/20;B24B27/00 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 乔婉;杨俊波 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 封装 器件 制造 方法 | ||
1.一种封装器件的制造方法,其特征在于,
该封装器件的制造方法具有如下的步骤:
被加工物准备步骤,准备被加工物,该被加工物在一个面侧设定有多条相互交叉的分割预定线,该被加工物具有在该一个面的由该分割预定线划分的各区域内配设器件芯片的第1区域和该第1区域的外侧的第2区域;
器件芯片配设步骤,在该被加工物的该第1区域上配设该器件芯片;
树脂模制步骤,在该被加工物准备步骤和该器件芯片配设步骤之后,向比该第1区域高的该第2区域和该第1区域提供模制树脂而利用该模制树脂覆盖该器件芯片和该被加工物;
树脂薄化步骤,在该树脂模制步骤之后,从该被加工物的该一个面侧对该模制树脂进行加工而将该模制树脂薄化至被该模制树脂覆盖的该被加工物的该第2区域未露出且配设于该第1区域的该器件芯片未露出的厚度;
研磨步骤,在该树脂薄化步骤之后,利用研磨垫从该一个面侧对该模制树脂进行研磨而使该被加工物的该第2区域露出,进一步利用该研磨垫对配设于该第1区域的该模制树脂和该第2区域进行研磨,在该被加工物的该一个面侧形成包含该模制树脂和该第2区域的平坦面;以及
分割步骤,将该被加工物沿着该分割预定线进行分割,制造分别具有该器件芯片的各个封装器件。
2.根据权利要求1所述的封装器件的制造方法,其特征在于,
该被加工物的该第1区域由形成于该被加工物的凹部构成。
3.根据权利要求1所述的封装器件的制造方法,其特征在于,
在该被加工物准备步骤中,将具有开口的间隙填充部件载置于基板,由此准备在该一个面上具有位于该开口中的该第1区域和位于该开口的外侧的该第2区域的该被加工物,
该间隙填充部件由温度上升时的体积的膨胀率或压力降低时的体积的膨胀率比该模制树脂小的原材料形成。
4.根据权利要求3所述的封装器件的制造方法,其特征在于,
该间隙填充部件具有与该基板的平面形状相同的平面形状,
该间隙填充部件的该开口由贯通孔或凹部构成。
5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的封装器件的制造方法,其特征在于,
该封装器件的制造方法还具有如下的测量步骤:在该树脂薄化步骤之前,为了确定通过该树脂薄化步骤将该模制树脂去除的去除量,对该模制树脂所覆盖的该被加工物的厚度进行测量,
在该测量步骤中,利用非接触式厚度测量器从该一个面的相反侧的另一个面侧对该第2区域中的该被加工物的厚度进行测量。
6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的封装器件的制造方法,其特征在于,
在该树脂模制步骤中,该模制树脂所覆盖的该被加工物的该第2区域比配设于该第1区域的该器件芯片的上端高。
7.一种封装器件的制造方法,其特征在于,
该封装器件的制造方法具有如下的步骤:
被加工物准备步骤,准备在一个面上设定有多条相互交叉的分割预定线的被加工物;
器件芯片配设步骤,在该被加工物的该一个面的由该分割预定线划分的各区域上配设器件芯片;
树脂模制步骤,在该被加工物准备步骤和该器件芯片配设步骤之后,向该被加工物的该一个面侧提供模制树脂而利用该模制树脂覆盖该器件芯片和该被加工物;
树脂薄化步骤,在该树脂模制步骤之后,从该被加工物的该一个面侧对该模制树脂进行加工而将该模制树脂薄化至该器件芯片未露出的厚度;
研磨步骤,在该树脂薄化步骤之后,利用研磨垫从该被加工物的该一个面侧对该模制树脂进行研磨而使该器件芯片露出,进一步利用该研磨垫对该模制树脂和该器件芯片进行研磨,形成包含该模制树脂和该器件芯片的平坦面;以及
分割步骤,将该被加工物沿着该分割预定线进行分割,制造分别具有该器件芯片的各个封装器件。
8.根据权利要求1至7中的任意一项所述的封装器件的制造方法,其特征在于,
在该树脂模制步骤中,将该模制树脂利用磨削磨具进行磨削从而进行薄化。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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