[发明专利]微型半导体元件以及微型半导体结构

说明书

本发明提供一种微型半导体元件以及微型半导体结构。微型半导体元件包括磊晶结构以及光学层。光学层配置于磊晶结构上。光学层为多层膜结构且包括第一膜层、第二膜层以及配置于第一膜层与第二膜层之间的第三膜层。第一膜层的折射率与第二膜层的折射率皆大于第三膜层的折射率。第三膜层的厚度大于第一膜层的厚度与第二膜层的厚度。光学层对微型半导体元件的外部光的反射率大于微型半导体元件的磊晶结构的自发光。本发明的微型半导体元件可让外部光对磊晶结构的影响最小化，以确保磊晶结构本身的特性，可具有较佳的结构可靠度。

技术领域

本发明涉及一种半导体元件以及半导体结构，尤其涉及一种微型半导体元件以及微型半导体结构。

背景技术

激光转移技术为现行微型半导体元件巨量转移的主流转移技术之一。激光本身为高能量的准直性光源，即使聚焦于特定的移除膜层，依然会有部分光源散射至磊晶结构中，而影响芯片特性与可靠度。

发明内容

本发明是针对一种微型半导体元件，其具有较佳的结构可靠度。

本发明还针对一种微型半导体结构，其包括上述的微型半导体元件，可具有较佳的结构可靠度。

根据本发明的实施例，微型半导体元件包括磊晶结构以及光学层。光学层配置于磊晶结构上。光学层为多层膜结构且包括第一膜层、第二膜层以及配置于第一膜层与第二膜层之间的第三膜层。第一膜层的折射率与第二膜层的折射率皆大于第三膜层的折射率。第三膜层的厚度大于第一膜层的厚度与第二膜层的厚度。光学层对微型半导体元件的外部光的反射率大于微型半导体元件的磊晶结构的自发光。

根据本发明的实施例，微型半导体结构包括基板以及至少一微型半导体元件。微型半导体元件配置于基板上，且微型半导体元件包括磊晶结构以及光学层。光学层配置于磊晶结构上。光学层为多层膜结构且包括第一膜层、第二膜层以及配置于第一膜层与第二膜层之间的第三膜层。第一膜层的折射率与第二膜层的折射率皆大于第三膜层的折射率。第三膜层的厚度大于第一膜层的厚度与第二膜层的厚度。光学层对微型半导体元件的外部光的反射率大于微型半导体元件的磊晶结构的自发光。

基于上述，在本发明的微型半导体元件中，光学层是配置于磊晶结构上，其中光学层对微型半导体元件的外部光的反射率大于微型半导体元件的磊晶结构的自发光。借此，可让外部光对磊晶结构的影响最小化，以确保磊晶结构本身的特性，而使本发明的微型半导体元件具有较佳的结构可靠度。

附图说明

图1A是依照本发明的一实施例的一种微型半导体结构的剖面示意图；

图1B是图1A中光学层的放大示意图；

图1C是另一实施例的一种光学层的放大示意图；

图2是依照本发明的另一实施例的一种微型半导体结构的剖面示意图；

图3是依照本发明的另一实施例的一种微型半导体结构的剖面示意图；

图4是依照本发明的另一实施例的一种微型半导体结构的剖面示意图；

图5是依照本发明的另一实施例的一种微型半导体结构的剖面示意图；

图6是依照本发明的另一实施例的一种微型半导体结构的剖面示意图；

图7是依照本发明的另一实施例的一种微型半导体结构的剖面示意图；

图8是依照本发明的一实施例的一种微型半导体元件的剖面示意图；

图9是依照本发明的另一实施例的一种微型半导体结构的剖面示意图。

附图标记说明

10a、10b、10c、10d、10e、10f、10g、10h:微型半导体结构；