[发明专利]微型半导体元件以及微型半导体结构

权利要求书

1.一种微型半导体元件，其特征在于，包括：

磊晶结构；以及

光学层，配置于所述磊晶结构上，所述光学层为多层膜结构，且包括第一膜层、第二膜层以及配置于所述第一膜层与所述第二膜层之间的第三膜层，其中所述第一膜层的折射率与所述第二膜层的折射率皆大于所述第三膜层的折射率，而所述第三膜层的厚度大于所述第一膜层的厚度与所述第二膜层的厚度，且所述光学层对所述微型半导体元件的外部光的反射率大于所述微型半导体元件的所述磊晶结构的自发光。

2.根据权利要求1所述的微型半导体元件，其特征在于，所述外部光的反射率大于所述自发光的反射率的2倍。

3.根据权利要求2所述的微型半导体元件，其特征在于，所述外部光的波长介于240纳米至400纳米。

4.根据权利要求2所述的微型半导体元件，其特征在于，所述光学层具有介于380纳米至440纳米的截止波长。

5.根据权利要求1所述的微型半导体元件，其特征在于，所述光学层还包括光学叠层，配置于所述第一膜层与所述第二膜层之间，所述光学叠层包括成对且交替配置的至少一高折射率层与至少一低折射率层，所述至少一低折射率层的厚度大于所述至少一高折射率层的厚度。

6.根据权利要求5所述的微型半导体元件，其特征在于，所述第一膜层的厚度或所述第二膜层的厚度小于所述至少一高折射率层的厚度的60％以下。

7.根据权利要求1所述的微型半导体元件，其特征在于，所述磊晶结构具有彼此相对的上表面与下表面以及连接所述上表面与所述下表面的周围表面，所述自发光自所述上表面透出，其中所述光学层配置于所述上表面、所述下表面或其组合。

8.根据权利要求7所述的微型半导体元件，其特征在于，还包括：

可见光反射层，配置于所述磊晶结构的所述上表面且所述光学层配置于所述下表面，或者是，配置于所述磊晶结构的所述下表面且所述光学层配置于所述上表面。

9.根据权利要求7所述的微型半导体元件，其特征在于，还包括：

外部光穿透层，配置于所述磊晶结构的所述上表面且所述光学层配置于所述下表面，或者是，配置于所述磊晶结构的所述下表面且所述光学层配置于所述上表面。

10.根据权利要求7所述的微型半导体元件，其特征在于，所述光学层包括第一子光学层与第二子光学层，所述第一子光学层与所述第二子光学层分别位于所述上表面与所述下表面，且所述第一子光学层与所述第二子光学层所反射的所述外部光具有不同波长。

11.一种微型半导体结构，其特征在于，包括：

基板；以及

至少一微型半导体元件，配置于所述基板上，所述至少一微型半导体元件包括：

磊晶结构；以及

光学层，配置于所述磊晶结构上，所述光学层为多层膜结构且包括第一膜层、第二膜层以及配置于所述第一膜层与所述第二膜层之间的第三膜层，其中所述第一膜层的折射率与所述第二膜层的折射率皆大于所述第三膜层的折射率，而所述第三膜层的厚度大于所述第一膜层的厚度与所述第二膜层的厚度，且所述光学层对所述微型半导体元件的外部光的反射率大于所述微型半导体元件的所述磊晶结构的自发光。

12.根据权利要求11所述的微型半导体结构，其特征在于，还包括：

移除层，配置于所述光学层与所述基板之间，其中所述基板为暂时基板，且所述光学层的杨氏模量大于所述移除层的杨氏模量。

13.根据权利要求11所述的微型半导体结构，其特征在于，所述光学层还包括光学叠层，配置于所述第一膜层与所述第二膜层之间，所述光学叠层包括成对且交替配置的至少一高折射率层与至少一低折射率层，所述至少一低折射率层的厚度大于所述至少一高折射率层的厚度。

14.根据权利要求13所述的微型半导体结构，其特征在于，所述基板为线路基板，所述至少一微型半导体元件为具有不同色光的多个微型半导体元件，且不同色光的所述多个微型半导体元件分别具有不同厚度的所述光学叠层。