[发明专利]一种西藏扁芒菊的组培培养基及其组培方法

权利要求书

1.一种西藏扁芒菊的组培培养基，其特征在于，包括初代培养基、继代增殖培养基以及生根培养基，其中，

所述的初代培养基：以MS为基本培养基，在其中加入浓度为0.3~ 2.0 mg/L 6-BA、0.05~ 0.2 mg/L NAA、30 g/L蔗糖和7 g/L琼脂；

所述的继代增殖培养基：以MS为基本培养基，在其中加入浓度为0.25~1.0 mg/L 6-BA、0.1~0.2 mg/L NAA、30 g/L蔗糖和7 g/L琼脂；

所述的生根培养基：以1/2 MS为基本培养基，在其中加入0.1~0.3mg/L的NAA、30 g/L蔗糖和7 g/L琼脂。

2.根据权利要求1所述的一种西藏扁芒菊的组培培养基，其特征在于，所述初代培养基、继代增殖培养基以及生根培养基的pH为5.80~5.86。

3.根据权利要求1所述的一种西藏扁芒菊的组培培养基，其特征在于，

所述初代培养基为MS+1.0 mg/L 6-BA+0.1 mg/LNAA+30 g/L蔗糖+7 g/L琼脂；

继代增殖培养基为MS+0.5 mg/L 6-BA+0.1 mg/LNAA+30 g/L蔗糖+7 g/L琼脂；以及，

生根培养基作为1/2 MS+ 0.3 mg/LNAA+30 g/L蔗糖+7 g/L琼脂。

4.一种利用权利要求1至3任一项所述组培培养基的西藏扁芒菊的组培方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）选择生长健壮，无病害的西藏扁芒菊茎段或腋芽为外植体，去除部分叶片，剪切至3~4 cm；

（2）将步骤（1）获得的外植体置于流水下冲洗干净后，对其进行灭菌消毒处理；

（3）将灭菌消毒后的外植体放入无菌纸上吸干表面水分并剪去两端伤口，接种于初代培养基中培养，以得到西藏扁芒菊无菌苗；

（4）将初代培养中获得的西藏扁芒菊无菌苗茎段剪切成1.5~2 cm，转接到继代增殖培养基中培养，获得大量的西藏扁芒菊丛生芽植株；

（5）取继代培养中大小一致、生长健壮的西藏扁芒菊丛生芽植株接种至生根培养基中生根培养，最终获得生根苗。

5.根据权利要求4所述的一种西藏扁芒菊的组培方法，其特征在于，步骤（2）中外植体的灭菌消毒处理方法为：将西藏扁芒菊的茎段和腋芽放入盛有洗洁精溶液的玻璃瓶中浸泡1 min，瓶口用纱布包住，置于流水下冲洗30~40 min；然后，将洗干净后的外植体移至超净工作台中，用75%的酒精浸泡30 S，无菌水冲洗3~4次，再用4%的次氯酸钠溶液震荡消毒10分钟，无菌水冲洗3次。

6.根据权利要求4所述的一种西藏扁芒菊的组培方法，其特征在于，步骤（3）中，初代培养方法为：在超净工作台内对外植体消毒灭菌后，放入无菌盘中用无菌纸吸干表面水分，剪去两端伤口后接种于MS+1.0 mg/L 6-BA+0.1 mg/L NAA+30 g/L蔗糖+7 g/L琼脂初代培养基中进行丛生芽诱导。

7.根据权利要求4所述的一种西藏扁芒菊的组培方法，其特征在于，步骤（4）中，所述继代增殖培养基为MS+0.5 mg/L 6-BA+0.1 mg/LNAA+30 g/L蔗糖+7 g/L琼脂。

8.根据权利要求4所述的一种西藏扁芒菊的组培方法，其特征在于，步骤（5）中，所述生根培养基为1/2 MS+ 0.3 mg/LNAA+30 g/L蔗糖+7 g/L琼脂。

9.根据权利要求4至8任一项所述的一种西藏扁芒菊的组培方法，其特征在于，步骤（3）~（5）初代培养、继代增殖培养以及生根培养中的培养条件为：培养温度为25±1℃，光照时间14 h/d，光强为1500~2000 lx，培养时间为30d。