[发明专利]一种提高ZNS-SSD写性能的缓存移除方法

权利要求书

1.一种提高ZNS-SSD写性能的缓存移除方法，其特征在于，包括：

S1：根据ZNS-SSD的分区数量，在板载DRAM中建立相应数量的分区队列；

S2：每当I/O请求到来时，根据其访问的逻辑地址，确定即将访问的分区，并将该I/O请求放入对应的分区队列中；

S3：如果板载DRAM被I/O请求数据占满，执行闪存芯片工作状态感知的缓存移除策略，选择需要移除的I/O请求数据；

S4：根据闪存芯片并行性感知的缓存移除策略，确定需要移除的I/O请求数据的数量；

S5：根据确定出的需要移除的I/O请求数据和需要移除的I/O请求数据的数量，执行板载DRAM的数据移除操作。

2.根据权利要求1所述的一种提高ZNS-SSD写性能的缓存移除方法，其特征在于，执行闪存芯片工作状态感知的缓存移除策略，选择需要移除的I/O请求数据，具体包括：

依次遍历每个分区队列，如果该分区队列对应的闪存芯片处于空闲状态，则该分区队列的I/O请求数据将被写回到闪存芯片中；相反，如果该分区队列对应的闪存芯片处于忙状态，则该分区队列的I/O请求数据将被跳过，暂时无法写回到闪存芯片中，得到暂时无法写回到闪存芯片中的I/O请求数据为需要移除的I/O请求数据。

3.根据权利要求1所述的一种提高ZNS-SSD写性能的缓存移除方法，其特征在于，根据闪存芯片并行性感知的缓存移除策略，确定需要移除的I/O请求数据的数量，包括：

当板载DRAM空间被占满之后，利用闪存芯片间的并行性，根据每次写回的I/O请求数据尽可能的占用所有闪存芯片的方式将板载DRAM空间被占满的I/O请求数据写回闪存芯片，得到需要移除的I/O请求数据的数量。

4.根据权利要求3所述的一种提高ZNS-SSD写性能的缓存移除方法，其特征在于，所述闪存芯片间的并行性：同时向多个芯片写入I/O请求数据。