[发明专利]产品开发测试方法、装置、设备和存储介质在审
| 申请号: | 202211399736.1 | 申请日: | 2022-11-09 |
| 公开(公告)号: | CN115794511A | 公开(公告)日: | 2023-03-14 |
| 发明(设计)人: | 谭世伟 | 申请(专利权)人: | 苏州浪潮智能科技有限公司 |
| 主分类号: | G06F11/22 | 分类号: | G06F11/22;G06F8/65 |
| 代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 苏培华 |
| 地址: | 215000 江苏省苏州市吴*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 产品 开发 测试 方法 装置 设备 存储 介质 | ||
本申请实施例提供了一种产品开发测试方法、装置、设备和存储介质,应用于产品测试平台,所述方法包括:在对产品进行开发测试之前,获取所述产品的第一测试分析数据;根据所述第一测试分析数据确定是否启动所述产品的开发测试;在对所述产品进行开发测试时,获取第二测试分析数据;根据所述第二测试分析数据确定是否启动所述产品的开发测试中的领域测试。本申请实施例在进行开发测试以及开发测试中的某个领域测试之前,可以预先获取到测试分析数据,进而根据测试分析数据确定是否开始进行测试,可以避免在产品不满足测试条件的情况下测试导致测试周期延长的问题,提高了产品的开发测试效率,缩短了测试周期,进而缩短了产品上市周期。
技术领域
本申请涉及计算机技术领域,特别是涉及一种产品开发测试方法和装置、一种电子设备和一种存储介质。
背景技术
目前在intel arm或者AMD等产品测试平台,存在测试的退出条件不明确的问题。比如,服务器中的CPU(Central Processing Unit,中央处理器)不具备跑性能、压力和稳定性等,但是规划使用此款CPU退出EVT阶段测试,导致实际退出EVT阶段测试时发现不具备退出EVT阶段测试的条件,那么就需要次调整阶段测试为Pre-EVT阶段测试;比如服务器中此款CPU只具备兼容海力士,但是对镁光和三星内存均不支持,导致退出DVT阶段测试的时候,由于不具备冗余和出货要求和上量,故由DVT阶段测试临时变更为Pre-DVT阶段测试等等。
因此,服务器等产品的开发测试效率低下,测试周期长,进而产品上市周期延长。
发明内容
本申请实施例提供了一种产品开发测试方法,以解决目前产品的开发测试效率低下的问题。
相应的,本申请实施例还提供了一种产品开发测试装置、一种电子设备以及一种存储介质,用以保证上述方法的实现及应用。
为了解决上述问题,本申请实施例公开了一种产品开发测试方法,应用于产品测试平台,所述方法包括:
在对产品进行开发测试之前,获取所述产品的第一测试分析数据;
根据所述第一测试分析数据确定是否启动所述产品的开发测试;
在对所述产品进行开发测试时,获取第二测试分析数据;
根据所述第二测试分析数据确定是否启动所述产品的开发测试中的领域测试。
在本申请的一种可选示例中,所述第一测试分析数据至少包括以下至少一项:
所述产品的中央处理器的可测性分析报告;
所述产品的主板所有第一次应用的芯片和第一次应用的线路;
所述产品在开发测试的各个测试阶段的测试周期时长;其中,所述测试周期时长为根据各个所述测试阶段的工作量分析和样机数量分析后确定;
所述产品在各个测试阶段的退出标准;其中,所述退出标准为根据所述产品的中央处理器特性、内存特性、VR芯片特性确定。
在本申请的一种可选示例中,所述测试阶段包括EVT测试阶段、DVT测试阶段和PVT测试阶段,所述测试阶段中包括有领域测试。
在本申请的一种可选示例中,
所述EVT测试阶段的退出标准,至少包括所述产品的中央处理器满足不宕机、支持至少1款内存和所述产品的主板没有超过指定严重程度的故障的条件;
所述DVT测试阶段的退出标准,至少包括所述产品的中央处理器满足无1/10000概率宕机、支持至少2个厂家的内存以及主板无硬件改板需求的条件。
在本申请的一种可选示例中,所述第二测试分析数据至少包括以下至少一项:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州浪潮智能科技有限公司,未经苏州浪潮智能科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211399736.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:游戏管理系统
- 下一篇:地理模型空洞修复方法、装置、设备以及存储介质





