[发明专利]散射条的添加方法、存储介质

说明书

本发明公开了一种散射条的添加方法、存储介质。其中散射条的添加方法，包括：根据版图上的图形的特点，将版图分为多个区域；将符合条件的区域分隔成多个相邻的方形切片；运用模式匹配算法将切片归类为几何环境各不相同的切片；运用ILT获取散射条的种子；判断散射条的种子附近是否有主图形的边，若有，在光罩设计规则的约束下，使种子沿着最近的主图形的边方向在长度方向上生长到预设长度，形成散射条骨架，并使得所述散射条骨架在宽度方向上生长到预设宽度；若没有，则在光罩设计规则的约束下，生成方形的散射条；运用模式匹配算法将各切片上生成的散射条贴回至版图上相应位置。本发明可以适应不同的版图，同时计算量比单一的ILT要少。

技术领域

本发明涉及半导体制造的技术领域，尤其涉及一种光学邻近修正方法中亚分辨率散射条 (SRAF或SBAR)的添加方法。

背景技术

为实现将图形从掩膜版中转移到硅片表面，通常需要经过曝光步骤、曝光步骤之后进行的显影步骤和显影步骤之后的刻蚀步骤。在曝光步骤中，光线通过掩膜版中透光的区域照射至涂覆有光刻胶的硅片上，光刻胶在光线的照射下发生化学反应；在显影步骤中，利用感光和未感光的光刻胶对显影剂的溶解程度的不同，形成光刻图案，实现图案从掩膜版到光刻胶上的转移；在刻蚀步骤中，基于光刻胶层所形成的光刻图案对硅片进行刻蚀，将掩膜版的图案进一步转移至硅片上。

在半导体制造中，随着设计尺寸的不断缩小，设计尺寸越来越接近光刻成像系统的极限，光的衍射效应变得越来越明显，导致最终对设计图形产生光学影像退化，实际形成的光刻图案相对于掩膜版上的图案发生严重畸变，最终在硅片上经过光刻形成的实际图形和设计图形不同，这种现象称为光学邻近效应(OPE：Optical Proximity Effect)。

为了修正光学邻近效应，便产生了光学邻近修正(OPC：Optical ProximityCorrection)。光学邻近修正的核心思想就是基于抵消光学邻近效应的考虑建立光学邻近修正模型，根据光学邻近修正模型设计光掩模图形，这样虽然光刻后的光刻图形相对应光掩模图形发生了光学邻近效应，但是由于在根据光学邻近修正模型设计光掩模图形时已经考虑了对该现象的抵消，因此，光刻后的光刻图形接近于用户实际希望得到的目标图形。然而，在实际生产过程，光刻条件只是对特定光罩图形密度作优化。这些特定光罩图形密度具有最大的景深(Depth of focus,DOF)及对比度(contrast)。在先进制造节点中存在小尺寸的孤立图形，其关键尺寸(CD) 可以达到～50纳米。这种图形几乎没有DOF，极易造成坏点。OPC工程师会在其周围添加 SBAR(如图1所示)，使其局部图形密度接近最优。SBAR的CD(关键尺寸)足够小，从而不会在晶圆表面曝出；但可以使孤立图形获得足够的DOF。图1中最中心的方形图形为主图形，四周的长条为SBAR。d1是第一组散射条与最接近的主图形的边的距离，d2是第二组散射条与最接近的主图形的边的距离。w1是第一组散射条的宽度，w2是第二组散射条的宽度。

当前最为常用的SBAR添加法是基于规则的添加(如图2所示)。根据目标图形边缘的属性，包括宽度(width)及距离(space)，来决定所添加SBAR的距离及宽度。图2示出了主图形、SBAR以及对应的规则表。其中center表示散射条放在两个主图形的中心位置，space表示当前的主图形边缘到相邻主图形边缘的距离，但在28nm及以下的技术节点中，实际版图图形是非常复杂(如图3所示)，图3中全部都是主图形，具有阵列状的排布的主图形、竖直间隔排布的主图形，以及其他无法用这两种规则来统计的其他的主图形部分。