[发明专利]一种化学气相沉积金刚石系统及设备在审
| 申请号: | 202211376070.8 | 申请日: | 2022-11-04 |
| 公开(公告)号: | CN115652274A | 公开(公告)日: | 2023-01-31 |
| 发明(设计)人: | 全峰;顾亚骏;蒋礼 | 申请(专利权)人: | 深圳优普莱等离子体技术有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/27 | 分类号: | C23C16/27;C01B32/26;C23C16/44;C23C16/458;C23C16/511 |
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| 地址: | 518000 广东省深圳市光明区光*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 化学 沉积 金刚石 系统 设备 | ||
1.一种化学气相沉积金刚石系统,其特征在于,包括:
腔体,所述腔体一体化成型;
腔体盖,密封盖设于所述腔体上;
沉积台,设置于所述腔体和所述腔体盖之间;
环形微波馈入窗,设置于所述腔体盖和所述沉积台之间;
波导,固定设置于所述腔体盖上;
同轴波导,同时穿设于所述波导和所述腔体盖中,一端和所述沉积台密封固定,另一端与所述波导密封固定连接;
倒置型基片台组件密封装置,固定设置于所述同轴波导上;
倒置型基片台组件,同时穿设于所述沉积台、所述同轴波导和所述倒置型基片台组件密封装置中,所述腔体、所述腔体盖、所述沉积台、所述环形微波馈入窗、所述同轴波导、所述倒置型基片台组件密封装置和所述倒置型基片台组件围成真空密封环境,所述倒置型基片台组件可上下移动;
等离子体,微波激发的所述等离子体位于倒置型基片台组件的正下方。
2.根据权利要求1所述的化学气相沉积金刚石系统,其特征在于所述腔体、所述腔体盖、所述沉积台、所述环形微波馈入窗、所述同轴波导和所述基片台组件同心设置。
3.根据权利要求2所述的化学气相沉积金刚石系统,其特征在于:所述环形微波馈入窗的顶部和所述腔体盖之间设有至少一个O形密封圈,所述环形微波馈入窗的底部和所述沉积台之间设有至少一个O形密封圈。
4.根据权利要求3所述的化学气相沉积金刚石系统,其特征在于,所述腔体盖设有腔体盖环形槽,所述沉积台设有沉积台环形槽,所述O形密封圈设于所述腔体盖环形槽和所述沉积台环形槽中。
5.根据权利要求1所述的化学气相沉积金刚石系统,其特征在于,所述环形微波馈入窗的材质为石英。
6.根据权利要求1所述的化学气相沉积金刚石系统,其特征在于:所述倒置型基片台组件包括倒置型基片台支架和倒置型基片台,所述倒置型基片台上设有衬底固定模块。
7.根据权利要求6所述的化学气相沉积金刚石系统,其特征在于:所述衬底固定模块为多个固定设置在所述倒置型基片台边缘的L形固定件,所述L形固定件靠近等离子体的边缘为圆角。
8.根据权利要求7所述的化学气相沉积金刚石系统,其特征在于:所述L形固定件材质为弹性金属。
9.一种设备,其特征在于,包括:如权利要求1-8中任一项所述的化学气相沉积金刚石系统。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





