[发明专利]发光二极管显示器

说明书

一种发光二极管显示器，包含向上发光型发光二极管，其向上发光；向下发光型发光二极管，其向下发光；及间隔区，设于向上发光型发光二极管与向下发光型发光二极管之间，以形成双面显示器。

技术领域

本发明是有关一种发光二极管显示器，特别是关于一种微发光二极管显示器。

背景技术

微发光二极管(microLED、mLED或μLED)显示面板为平板显示器(flat paneldisplay)的一种，其是由尺寸等级为1～100微米的个别精微(microscopic)发光二极管所组成。相较于传统液晶显示面板，微发光二极管显示面板具有较大对比度及较快反应时间，且消耗较少功率。微发光二极管与有机发光二极管(OLED)虽然同样具有低功耗的特性，但是，微发光二极管因为使用三-五族二极管技术(例如氮化镓)，因此相较于有机发光二极管具有较高的亮度(brightness)、较高的发光效能及较长的寿命。

传统微发光二极管显示器可分为向上发光型(top-emission)微发光二极管显示器，其向上发光；及向下发光型(bottom-emission)微发光二极管显示器，其向下发光。传统微发光二极管显示器的开口率(aperture ratio，亦即光穿透区域与像素区域的比例)受到限制，因而降低显示品质。开口率的增加可借由降低导电的宽度来达到，然而导线宽度则是受到微影蚀刻的限制。

因此亟需提出一种新颖机制，以克服传统微发光二极管显示器的缺失并增强开口率。

发明内容

鉴于上述，本发明实施例的目的之一在于提出一种双面微发光二极管显示器，其具有增强的开口率与降低的光学串音(optical crosstalk)。

根据本发明实施例，发光二极管显示器包含向上发光型发光二极管、向下发光型发光二极管及间隔区。向上发光型发光二极管向上发光，且向下发光型发光二极管向下发光。间隔区设于向上发光型发光二极管与向下发光型发光二极管之间，以形成双面显示器。

根据本发明另一实施例，发光二极管显示器包含多个像素、多条透明导线及黑色矩阵。每一像素包含多个发光二极管，其第一电极分别借由资料线连接至驱动器，其第二电极连接至共同线。透明导线设于多个像素内。黑色矩阵覆盖多个发光二极管与资料线，但不覆盖透明导线。

附图说明

图1A显示本发明实施例的微发光二极管显示器的一部分的俯视图。

图1B显示图1A的微发光二极管显示器的一部分的俯视图，其覆盖有黑色矩阵。

图2A与图2B显示未采用图1A的透明导线的微发光二极管显示器的一部分的俯视图，其覆盖有黑色矩阵。

图3显示本发明实施例的微发光二极管显示器的剖面图。

图4A显示未采用图3的第一光遮断层、第二光遮断层及第三光遮断层，微发光二极管显示器的向上发光型微发光二极管所造成的光学串音。

图4B显示未采用图3的第一光遮断层、第二光遮断层及第三光遮断层，微发光二极管显示器的向下发光型微发光二极管所造成的光学串音。

图4C显示微发光二极管显示器(图3)的向上发光型微发光二极管与向下发光型微发光二极管所产生非预期光线受到阻挡而避免光学串音。

图5A显示本发明实施例的微发光二极管显示器(图3)的一部分的俯视图。

图5B显示本发明另一实施例的微发光二极管显示器(图3)的一部分的俯视图。

图6A显示本发明实施例的向上发光型微发光二极管与向下发光型微发光二极管的排列的俯视图。

图6B显示本发明另一实施例的向上发光型微发光二极管与向下发光型微发光二极管的排列的俯视图。