[发明专利]发光二极管显示器

权利要求书

1.一种发光二极管显示器，其特征在于，包含：

向上发光型发光二极管，其向上发光；

向下发光型发光二极管，其向下发光；及

间隔区，设于该向上发光型发光二极管与该向下发光型发光二极管之间，以形成双面显示器。

2.根据权利要求1所述的发光二极管显示器，其特征在于，该向上发光型发光二极管包含：

透明基板；

第一光遮断层，全面形成于该透明基板上且延伸至该间隔区；

第二光遮断层，全面形成于该透明基板下且延伸至该间隔区；

第一反射层，全面形成于该第一光遮断层上且延伸至该间隔区；及

第一发光二极管，设于该第一反射层上。

3.根据权利要求2所述的发光二极管显示器，其特征在于，延伸于该间隔区的该第一光遮断层与延伸于该间隔区的该第二光遮断层不同长。

4.根据权利要求2所述的发光二极管显示器，其特征在于，该向上发光型发光二极管更包含：

第一绝缘层与第二绝缘层，依序形成于该第一反射层上；

第一金属导电层与第二金属导电层，分别形成于该第一绝缘层与该第二绝缘层内；

封装层，覆盖该第一发光二极管；及

光导层，形成于该封装层上。

5.根据权利要求4所述的发光二极管显示器，其特征在于，该封装层的折射率大于1。

6.根据权利要求4所述的发光二极管显示器，其特征在于，该向下发光型发光二极管包含：

该第一光遮断层，形成于该透明基板的周边上表面；

该第二光遮断层，形成于该透明基板的周边下表面；

第二发光二极管，设于该透明基板上；

第二反射层，形成于该第二发光二极管上；及

第三光遮断层，形成于该第二反射层上且延伸至该间隔区。

7.根据权利要求6所述的发光二极管显示器，其特征在于，该第一反射层与该第二反射层的反射率等于或大于70％。

8.根据权利要求6所述的发光二极管显示器，其特征在于，该第一光遮断层、该第二光遮断层及该第三光遮断层包含深色、不透光且可吸光材质，其透光率等于或大于3。

9.根据权利要求6所述的发光二极管显示器，其特征在于，该向下发光型发光二极管更包含：

该第一绝缘层与该第二绝缘层，依序形成于该透明基板上；

该第一金属导电层与该第二金属导电层，分别形成于该第一绝缘层与该第二绝缘层内；

该封装层，覆盖该第二发光二极管；及

该光导层，形成于该封装层上。

10.根据权利要求1所述的发光二极管显示器，其特征在于，该向上发光型发光二极管与该向下发光型发光二极管由独立信号驱动，且分别属于不同像素。

11.根据权利要求1所述的发光二极管显示器，其特征在于，该向上发光型发光二极管与该向下发光型发光二极管由独立信号驱动，且属于同一像素。

12.根据权利要求1所述的发光二极管显示器，其特征在于，该向上发光型发光二极管为垂直设置，且该向下发光型发光二极管为垂直设置。

13.根据权利要求1所述的发光二极管显示器，其特征在于，该向上发光型发光二极管为水平设置，且该向下发光型发光二极管为水平设置。

14.根据权利要求1所述的发光二极管显示器，其特征在于，该向上发光型发光二极管与该向下发光型发光二极管为交叉设置。

15.根据权利要求1所述的发光二极管显示器，其特征在于，该向上发光型发光二极管与该向下发光型发光二极管包含微发光二极管。