[发明专利]一种碳化硅籽晶的多角度清洗装置及其使用方法在审
| 申请号: | 202211369582.1 | 申请日: | 2022-11-03 | 
| 公开(公告)号: | CN115591857A | 公开(公告)日: | 2023-01-13 | 
| 发明(设计)人: | 管家辉;杨振华;杨阳 | 申请(专利权)人: | 无锡上机数控股份有限公司 | 
| 主分类号: | B08B3/12 | 分类号: | B08B3/12;B08B3/10;B08B13/00 | 
| 代理公司: | 北京睿博行远知识产权代理有限公司 11297 | 代理人: | 张燕平 | 
| 地址: | 214000 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 碳化硅 籽晶 角度 清洗 装置 及其 使用方法 | ||
本发明公开了一种碳化硅籽晶的多角度清洗装置及其使用方法,属于硅单晶设备技术领域,包括壳体以及设置在壳体正面的控制模块,所述壳体内部安装有清洗槽,所述清洗槽通过设置有活动支撑机构可拆卸安装有清洗支架,所述清洗支架内部等距设置有分隔板,所述分隔板将所述清洗支架内部分隔形成多个空腔,所述空腔内部活动安装有用于碳化硅籽晶清洗用的夹持机构,所述夹持机构包括两组对称设置的夹持组件,所述壳体底面与所述夹持组件相匹配设置有冲洗组件;它可以实现利用超声清洗,并将碳化硅籽晶单独放置分离放置,避免发生相互干扰,并且在清洗时利用清洗冲击力使得碳化硅籽晶多角度旋转,避免产生清洗死角,使得清洗更加彻底。
技术领域
本发明涉及硅单晶设备技术领域,更具体地说,涉及一种碳化硅籽晶的多角度清洗装置及其使用方法。
背景技术
典型的碳化硅晶体制备方法为PVT法,碳化硅粉料在高温下升华挥发后在碳化硅籽晶处结晶生长,形成碳化硅晶体。晶体的缺陷会直接影响到所制备器件的质量,因此在晶体生长过程中往往需要采用各种方法减少晶体缺陷的产生。采用无缺陷或少缺陷且表现粗糙度较低的籽晶来生长晶体也是减少晶体缺陷的方法之一。碳化硅晶片上的有机、无机和颗粒状杂质通常是以化学或物理吸附的方式结合在晶片表面或包埋于晶片自身的氧化膜中,这些沾染物及颗粒状杂质会严重影响器件的性能、可靠性和成品率。实验表明,大部分晶片次品是由于现有清洗方法对碳化硅籽晶清洗不当造成的,现有技术手段基本都是依靠物理重新或者毛刷设备对碳化硅籽晶进行清洗,这种清洗方式虽然清洗效率比较高,但碳化硅籽晶在清洗设备容易发生相互堆叠,这样就使得相互堆叠的位置容易发生相互遮盖,使得清洗过程中容易相互之间发生干扰,而且清洗过程中碳化硅籽晶的放置角度无法进行改变,容易产生清洗死角,造成清洗不彻底的现象。
发明内容
1.要解决的技术问题
针对现有技术中存在的问题,本发明的目的在于提供一种碳化硅籽晶的多角度清洗装置及其使用方法,它可以实现利用超声清洗,并将碳化硅籽晶单独放置分离放置,避免发生相互干扰,并且在清洗时利用清洗冲击力使得碳化硅籽晶多角度旋转,避免产生清洗死角,使得清洗更加彻底。
2.技术方案
为解决上述问题,本发明采用如下的技术方案。
一种碳化硅籽晶的多角度清洗装置,包括壳体以及设置在壳体正面的控制模块,所述壳体内部安装有清洗槽,所述清洗槽底面中心安装有超声换能器,且其中一侧面设置有加液管口和排液管口,所述清洗槽通过设置有活动支撑机构可拆卸安装有清洗支架,所述清洗支架内部等距设置有分隔板,所述分隔板将所述清洗支架内部分隔形成多个空腔,所述空腔内部活动安装有用于碳化硅籽晶清洗用的夹持机构,所述夹持机构包括两组对称设置的夹持组件,所述壳体底面与所述夹持组件相匹配设置有冲洗组件。
进一步的,所述夹持组件包括转动安装于所述分隔板侧壁的旋转支轴,所述旋转支轴内部滑动连接有活动支柱,所述活动支柱与所述旋转支轴内壁之间固定安装有卡紧弹簧,所述活动支柱远离所述旋转支轴一端固定安装有侧限位片,所述侧限位片表面均匀设置有夹持凸爪。
进一步的,所述旋转支轴内表面均匀开设有限位滑槽,所述活动支柱外表面设置有与所述限位滑槽相匹配的限位凸边。
进一步的,所述侧限位片与所述旋转支轴顶面之间设置有防水橡胶套,所述防水橡胶套环绕于所述活动支柱外表面。
进一步的,所述侧限位片上均匀开设有透水通孔,所述夹持凸爪中心通孔与其中几个所述透水通孔相连通,所述夹持凸爪呈锥柱状结构,且外表面包裹有橡胶层。
进一步的,所述活动支撑机构包括固定安装于所述清洗槽内部四角的底支撑柱以及设置于所述清洗支架四角的连接套筒,所述连接套筒顶端固定安装有限位支撑柱,所述限位支撑柱顶端转动安装有活动帽,所述活动帽侧面设置有卡紧凸块,所述连接套筒中心贯穿开设有与所述限位支撑柱直径相同的连接通槽,且侧边开设有与所述卡紧凸块相匹配的侧边槽。
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