[发明专利]用于处理基板的装置和用于处理基板的方法

说明书

本发明提供了用于处理基板的装置和用于处理基板的方法。具体地，该基板处理装置包括：壳体，该壳体具有用于处理基板的处理空间；支承单元，该支承单元配置为在处理空间处支承基板；等离子体源，该等离子体源用于从供应至处理空间的工艺气体产生等离子体；排出管线，该排出管线连接至壳体、并排出处理空间的气氛；以及压力调节单元，该压力调节单元定位在支承单元与排出管线之间、且配置为调节从排出管线排出的排出压力，并且其中压力调节单元包括：用于开启和关闭排出管线的开启/关闭构件；用于在上/下方向上移动开启/关闭构件的提升/降低构件；以及用于向提升/降低构件提供回复力的弹性构件。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年11月2日提交韩国知识产权局的、申请号为10-2021-0148457的韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用结合在本申请中。

技术领域

本文中描述的本发明构思的实施方案涉及一种基板处理装置，更具体地，涉及一种用于等离子处理基板的基板处理装置。

背景技术

等离子体是指由离子、基团和电子构成的电离化气体状态。该等离子体由非常高的温度、强电场、或高频电磁场电磁场(射频电磁场，RF electromagnetic field)产生。半导体设备制造工艺可以包括通过使用等离子体去除在基板(诸如，晶圆)上形成的薄膜的蚀刻工艺。蚀刻工艺通过等离子体的离子和/或基团与基板上的薄膜碰撞或与薄膜反应来执行。

当使用工艺腔室内的等离子体处理基板时，应该适当调节工艺腔室的内部压力。工艺腔室的内部压力通过排出管线排出工艺腔室内的气氛来进行调节。为了精确地调节工艺腔室内部的气氛，必须适当地调节排出管线的开启程度，为此，需要移动用于开启和关闭排出管线的开启/关闭构件的多个驱动构件。这导致了基板处理装置的结构复杂性。此外，由于颗粒或工艺副产物在排出管线内流动，需要经常维护安装在排出管线内以阻塞排出管线内部或调节排出管线内的开启程度的开启/关闭构件。这导致了基板处理效率降低的问题。

发明内容

本发明构思的实施方案提供了一种用于有效调节处理空间的内部压力的基板处理装置和方法。

本发明构思的实施方案提供了一种用于有效排出处理空间中流动的工艺副产物的基板处理装置和方法。

本发明构思的实施方案提供了一种用于使结构复杂性最小化的基板处理装置和方法。

本发明构思的技术目的不限于上述技术目的，并且其他未提及的技术目的将从以下描述中对本领域技术人员变得显而易见。

本发明构思提供一种基板处理装置。该基板处理装置包括：壳体，该壳体具有用于处理基板的处理空间；支承单元，该支承单元配置为在处理空间处支承基板；以及等离子体源，该等离子体源用于从供应至处理空间中的工艺气体产生等离子体；排出管线，该排出管线连接至壳体并排出处理空间的气氛；以及压力调节单元，该压力调节单元定位在支承单元与排出管线之间、且配置为调节从排出管线排出的排出压力，并且其中压力调节单元包括：开启/关闭构件，该开启/关闭构件用于开启和关闭排出管线；提升/降低构件，该提升/降低构件用于在上/下方向上移动开启/关闭构件；以及弹性构件，该弹性构件用于向提升/降低构件提供回复力。

在实施方案中，开启/关闭构件包括：底板，该底板形成为当从上方观察时覆盖排出管线；以及止动构件，该止动构件从底板的底端延伸且具有与排出管线的直径相同或更小的直径。

在实施方案中，弹性构件连接支承单元的底端和底板的顶端。

在实施方案中，设置多个弹性构件，并且多个弹性构件基于底板的中心、以固定间隔定位。