[发明专利]一种新型硅片电泳前处理方法在审
申请号: | 202211332272.2 | 申请日: | 2022-10-28 |
公开(公告)号: | CN115642078A | 公开(公告)日: | 2023-01-24 |
发明(设计)人: | 陈宏胤;贾健;杜凤 | 申请(专利权)人: | 扬州虹扬科技发展有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人: | 田方正 |
地址: | 225116 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 硅片 电泳 处理 方法 | ||
本发明涉及一种新型硅片电泳前处理方法,在硫酸、双氧水溶液中处理步骤的前后增加了弱酸处理。本发明方法简单可以降低产品的破片率,提升硅片的强度,保证了操作的安全性,还能将硅片沟槽清洗干净,从而使得产品的品质、信赖性得到提升。
技术领域
本发明涉及硅片清洗技术领域,属于一种新型硅片电泳前处理方法。
背景技术
电泳前硅片的清洗处理对硅片的电性尤为重要,现传统工艺采用的是1号液和2号液对硅片进行清洗,而1号液和2号液需要加热,温度一般为100~130℃,且使用的酸的量较多,酸的使用量多,对酸使用安全尤为重要,1号液和2号液只对硅片表面进行清洗,硫酸对烧完胶的硅片沟槽进行清洗,但是烧完胶的硅片直接进入到温度为100~130℃硫酸和双氧水中,硅片突然受热,出现咔咔声响,且破片现状,经过硫酸和双氧水清洗后的硅片放入流动水中冲洗时,由于硅片上的硫酸遇到水,会发出大量的热,并且硫酸进入水中,会出现硫酸飞溅的现状,最终使硅片再次出现咔咔声音,最终导致硅片破片,150片硅片出现破片2片左右,破片率为1.3%,经过突然受热和突然降温,对硅片的强度有影响。
发明内容
针对背景技术中的问题,本发明提供一种新型硅片电泳前处理方法,在硫酸、双氧水溶液中处理步骤的前后增加了冰醋酸处理,本发明不仅将硅片沟槽清洗干净,降低了产品的漏电流值,而且保证了硅片的强度,从而使得产品的品质、信赖性得到提升。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一种新型硅片电泳前处理方法,包括如下步骤:
(1)取烧完胶的硅片在弱酸中处理15~45S;
(2)在硫酸、双氧水溶液中处理6~10min;
(3)在弱酸中处理15~45S;
(4)用流动纯水冲洗5~10min;
(5)在静止纯水中进行超声波清洗15~20min;
(6)在水槽中进行最后一级冲水,观察材料洁净度,最后一级冲水的水阻值≥10MΩcm。
优选的,所述弱酸为冰醋酸,所述冰醋酸的级别为电子级,温度为20~30℃。
优选的,所述硫酸、双氧水溶液温度为110~130℃,其硫酸与双氧水比例为10:1,所述硫酸的级别为电子级,硫酸的浓度为≥98%,所述双氧水的级别为电子级。
优选的,所述步骤(5)的超声波振幅为15~25mv。
优选的,所述步骤(4)和步骤(5)的纯水的纯度为≥99.99%。
优选的,所述步骤(1)的在弱酸中处理的步骤为,先在碳酸中处理15~30S,再在冰醋酸中处理15~30S。
优选的,所述步骤(3)的在弱酸中处理的步骤为,先在冰醋酸中处理15~30S,再在碳酸中处理15~30S。
优选的,所述碳酸的级别为电子级,温度为20~30℃。
所述最后一级冲水的水阻值指的是水槽的进水口纯水的电阻值,要求≥10 MΩcm,最后一级冲水是观察材料洁净度的一种方式。
在硫酸、双氧水溶液中处理步骤的前后增加了冰醋酸处理,冰醋酸主要作用为钝化的作用,作为缓冲剂,硅片经过冰醋酸后,再放入硫酸、双氧水溶液中,此时的冰醋酸起到缓冲剂作用,使得硅片不出现咔咔声音且不破片。当硅片从硫酸、双氧水溶液中出来时,将硅片放入冰醋酸中,这时候冰醋酸起到缓冲剂作用,经过冰醋酸再到水里,就不会出现大量放热和破片现象,既能保证硅片清洗干净,又能保证硅片的强度,最终使产品品质得到提升及稳定。
实验表明,在步骤(1)冰醋酸处理前加入碳酸处理,硅片钝化效果更好,在步骤(3)冰醋酸处理后加入碳酸处理,硅片在水中放出的热量更弱,最终处理后的产品品质更加稳定。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造