[发明专利]一种新型硅片电泳前处理方法在审
| 申请号： | 202211332272.2 | 申请日： | 2022-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN115642078A | 公开（公告）日： | 2023-01-24 |
| 发明（设计）人： | 陈宏胤;贾健;杜凤 | 申请（专利权）人： | 扬州虹扬科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 田方正 |
| 地址： | 225116 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 硅片 电泳 处理 方法 | ||
1.一种新型硅片电泳前处理方法，其特征在于，包括如下步骤：
（1）取烧完胶的硅片在弱酸中处理15～45S；
（2）在硫酸、双氧水溶液中处理6～10min；
（3）在弱酸中处理15～45S；
（4）用流动纯水冲洗5～10min；
（5）在静止纯水中进行超声波清洗15～20min；
（6）在水槽中进行最后一级冲水，观察材料洁净度，最后一级冲水的水阻值≥10MΩcm。
2.根据权利要求1所述的一种新型硅片电泳前处理方法，其特征在于，所述弱酸为冰醋酸，所述冰醋酸的级别为电子级，温度为20～30℃。
3.根据权利要求1所述的一种新型硅片电泳前处理方法，其特征在于， 所述硫酸、双氧水溶液温度为110～130℃，其硫酸与双氧水比例为10:1，所述硫酸的级别为电子级，硫酸的浓度为≥98%，所述双氧水的级别为电子级。
4.根据权利要求1所述的一种新型硅片电泳前处理方法，其特征在于，所述步骤（5）的超声波振幅为15～25mv。
5.根据权利要求1所述的一种新型硅片电泳前处理方法，其特征在于，所述步骤（4）和步骤（5）的纯水的纯度为≥99.99%。
6.根据权利要求1所述的一种新型硅片电泳前处理方法，其特征在于，所述步骤（1）的在弱酸中处理的步骤为，先在碳酸中处理15～30S，再在冰醋酸中处理15～30S。
7.根据权利要求1所述的一种新型硅片电泳前处理方法，其特征在于，所述步骤（3）的在弱酸中处理的步骤为，先在冰醋酸中处理15～30S，再在碳酸中处理15～30S。
8.根据权利要求6所述的一种新型硅片电泳前处理方法，其特征在于，所述碳酸的级别为电子级，温度为20～30℃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
