[发明专利]电流镜电路、放大器和电子设备

说明书

本申请涉及一种上述电流镜电路、放大器和电子设备，该电流镜电路包括共源单元、共栅单元、第一负载、第二负载和反馈电路，反馈电路用于为共栅单元提供偏置。共源单元包括第一晶体管和第二晶体管，共栅单元包括第三晶体管和第四晶体管；第一晶体管的栅极、第二晶体管的栅极和第三晶体管的漏极分别接入输入电流；第一晶体管的漏极连接第三晶体管的源极，第一晶体管的源极连接第一负载；第三晶体管的栅极和第四晶体管的栅极分别连接反馈电路；第二晶体管的源极连接第二负载,第二晶体管的漏极连接第四晶体管的源极，第四晶体管的漏极提供输出电流。从而电流镜电路在输入电流范围变化较大时仍有高的电流镜精度。

技术领域

本申请涉及集成电路领域，特别是涉及电流镜电路、放大器和电子设备。

背景技术

在集成电路的设计中，电流镜电路是一个非常重要的基本单元，由于其具有输出电流恒定，不受输入电压影响等优点，常常被用作放大电路的有源负载或电流偏置。

传统电流镜采用电阻和二极管连接偏置MOS(Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor,金属-氧化物半导体场效应晶体管)的结构，电流镜的MOS管均偏置在饱和区，但电流镜MOS管的栅源电压和漏源电压跟随输入电流变化较大，当输入电流范围变化较大时，很容易使得MOS管进入非饱和区，从而影响电流镜性能，降低电流镜的精度。

发明内容

基于此，有必要针对电流镜的输入电流范围变化较大时，精度降低的问题，提供一种电流镜电路、放大器和电子设备。

一种电流镜电路，包括：共源单元、共栅单元、第一负载、第二负载和反馈电路，所述反馈电路用于为所述共栅单元提供偏置电压；

所述共源单元包括第一晶体管和第二晶体管，所述共栅单元包括第三晶体管和第四晶体管；所述第一晶体管的栅极、所述第二晶体管的栅极和所述第三晶体管的漏极分别接入输入电流；所述第一晶体管的漏极连接所述第三晶体管的源极，所述第一晶体管的源极连接所述第一负载；所述第三晶体管的栅极和所述第四晶体管的栅极分别连接所述反馈电路；所述第二晶体管的源极连接所述第二负载,所述第二晶体管的漏极连接所述第四晶体管的源极，所述第四晶体管的漏极提供输出电流。

在其中一个实施例中，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管均为NMOS管；所述第一晶体管的源极通过所述第一负载接地，所述第二晶体管的源极通过所述第二负载接地。

在其中一个实施例中，所述反馈电路包括电流源和第五晶体管；所述电流源的正极连接电源，所述电流源的负极分别与所述第五晶体管的源极、所述第三晶体管的栅极和所述第四晶体管的栅极连接；所述第五晶体管的栅极与所述第一晶体管的源极连接，所述第五晶体管的漏极接地。

在其中一个实施例中，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管均为PMOS管；所述第一晶体管的源极通过所述第一负载连接电源，所述第二晶体管的源极通过所述第二负载连接电源。

在其中一个实施例中，所述反馈电路包括电流源和第五晶体管；所述第五晶体管的漏极连接电源，所述第五晶体管的源极分别与所述电流源的正极、所述第三晶体管的栅极和所述第四晶体管的栅极连接，所述电流源的负极接地；所述第五晶体管的栅极还连接所述第一晶体管的源极。

在其中一个实施例中，所述第一晶体管的宽长比与所述第二晶体管的宽长比之间的比值为第一比值；所述第三晶体管的宽长比与所述第四晶体管的宽长比之间的比值为第二比值；所述第一比值等于所述第二比值。

在其中一个实施例中，所述第一负载为第一源极退化电阻，所述第二负载为第二源极退化电阻。

在其中一个实施例中，所述第二源极退化电阻与所述第一源极退化电阻的阻值之比等于所述第一比值。

一种放大器，包括如上述的电流镜电路。