[发明专利]电流镜电路、放大器和电子设备在审
| 申请号： | 202211323363.X | 申请日： | 2022-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN115525096A | 公开（公告）日： | 2022-12-27 |
| 发明（设计）人： | 刘辉;刘晓渝;周海牛;陈涛 | 申请（专利权）人： | 深圳市芯波微电子有限公司 |
| 主分类号： | G05F3/26 | 分类号： | G05F3/26 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 虞凌霄 |
| 地址： | 518172 广东省深圳市龙岗区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电流 电路 放大器 电子设备 | ||
1.一种电流镜电路，其特征在于，包括：共源单元、共栅单元、第一负载、第二负载和反馈电路，所述反馈电路用于为所述共栅单元提供偏置电压；
所述共源单元包括第一晶体管和第二晶体管，所述共栅单元包括第三晶体管和第四晶体管；所述第一晶体管的栅极、所述第二晶体管的栅极和所述第三晶体管的漏极分别接入输入电流；所述第一晶体管的漏极连接所述第三晶体管的源极，所述第一晶体管的源极连接所述第一负载；所述第三晶体管的栅极和所述第四晶体管的栅极分别连接所述反馈电路；所述第二晶体管的源极连接所述第二负载,所述第二晶体管的漏极连接所述第四晶体管的源极，所述第四晶体管的漏极提供输出电流。
2.根据权利要求1所述的电流镜电路，其特征在于，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管均为NMOS管；所述第一晶体管的源极通过所述第一负载接地，所述第二晶体管的源极通过所述第二负载接地。
3.根据权利要求2所述的电流镜电路，其特征在于，所述反馈电路包括电流源和第五晶体管；所述电流源的正极连接电源，所述电流源的负极分别与所述第五晶体管的源极、所述第三晶体管的栅极和所述第四晶体管的栅极连接；所述第五晶体管的栅极与所述第一晶体管的源极连接，所述第五晶体管的漏极接地。
4.根据权利要求1所述的电流镜电路，其特征在于，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管均为PMOS管；所述第一晶体管的源极通过所述第一负载连接电源，所述第二晶体管的源极通过所述第二负载连接电源。
5.根据权利要求4所述的电流镜电路，其特征在于，所述反馈电路包括电流源和第五晶体管；所述第五晶体管的漏极连接电源，所述第五晶体管的源极分别与所述电流源的正极、所述第三晶体管的栅极和所述第四晶体管的栅极连接，所述电流源的负极接地；所述第五晶体管的栅极还连接所述第一晶体管的源极。
6.根据权利要求1所述的电流镜电路，其特征在于，所述第一晶体管的宽长比与所述第二晶体管的宽长比之间的比值为第一比值；所述第三晶体管的宽长比与所述第四晶体管的宽长比之间的比值为第二比值；所述第一比值等于所述第二比值。
7.根据权利要求6所述的电流镜电路，其特征在于，所述第一负载为第一源极退化电阻，所述第二负载为第二源极退化电阻。
8.根据权利要求7所述的电流镜电路，其特征在于，所述第二源极退化电阻与所述第一源极退化电阻的阻值之比等于所述第一比值。
9.一种放大器，其特征在于，包括如权利要求1-8所述的电流镜电路。
10.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求9所述的放大器。
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